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在一个ＰＣ基高速高分辨率仪器卡上实现超低平均功耗器件的Ｉ－Ｖ曲线测量．采集５１２个数据只要５１．２μｓ，避免因过高平均功耗而损坏器件．ＰＣ基仪器卡自带时钟和单斜波电压产生器，使用功能为１８ＭＨｚ取样率和１０ｂｉｔ分辨率的Ａ／Ｄ器件和存取时间为１５ｎｓ的缓存存贮器，分辨率优于一般存储示波器，测量系统对ＰＣ／ＸＴ以上的微机兼容．系统还可进行多通道瞬态测量，用于同步分析多通道窄脉冲信号，一个软件包可以完成所有的控制、测量与数据处理． 相似文献
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采用恒pH值共沉淀法 ,制备了掺锡 5mol%的纳米α -Fe2 O3 粉体 .运用霍尔效应的原理 ,在低真空、高温 (390～ 5 40K)下用直流法测量了该α-Fe2 O3 压片的霍尔电压与电阻 .数据表明在该实验条件下α -Fe2 O3 的导电类型为n型 ,载流子浓度随温度的升高而逐步升高 .在低温区 ,数据表征的能量为 0 .18eV ,可能由深杂质能级引起 .高温区 1.7eV的表征能量 ,与Fe2 O3 的禁带宽度的一半相符 .迁移率随温度的变化关系表明 ,在低温区杂质对载流子的散射是主要因素 ,高温区晶格散射成为主要因素 相似文献
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结合宏观和微观模型 ,对GaAs AlAs弱耦合掺杂超晶格的纵向输运问题进行模拟计算 ,并给出产生电流自激振荡时的掺杂浓度和固定偏压的范围 .计算结果与实验数据基本吻合 相似文献
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报告并分析了ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ阱间弱耦合且阱中掺杂的第一类超晶格样品在７７Ｋ温度下分别以动态高速扫描方式和准静态低速扫描方式所测量的纵向输运的Ｉ－Ｖ曲线．从准静态数据发现各负阻段的段平均微分负阻基本上与样品偏压无关．分析表明,在Ｉ－Ｖ关系曲线平台区纵向电流与相邻势阱间偏压的关系中,共振隧穿过程与顺序共振隧穿过程的微分电阻值接近相等．本工作从高速动态数据确定了畴边界完成一次跳跃移动的时间,实验样品的这一时间为７０±３０ｎｓ,由此计算出隧穿电流的峰谷比约为２．０． 相似文献
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结合宏观和微观模型,分别模拟计算有效漂移速度V(f)线形对GaAs AlAs掺杂弱耦合窄垒和宽垒超晶格纵向输运的影响.U-I关系的第一平台的计算结果显示出与超晶格周期数相同的锯齿分支.计算结果还表明宽垒样品U-I关系的第一平台的宽度随流体静压(大于临界压力)的增加而明显变小,而窄垒样品U-I关系的第一平台的宽度则不随流体静压(大于临界压力)的增加而变化.计算结果与实验数据基本吻合. 相似文献
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结合宏观和微观模型,超晶格的纵向输运模型可以表达为以时间丁为独立变量的微分方程组．运用MATLAB软件进行模拟计算和优化,深入研究掺杂浓度和外加偏压的变化,对GaAs／AlAs掺杂弱耦合超晶格自维持振荡频率和振幅的影响．结果表明,电流振荡频率随偏置电压的增加而单调减小,振幅相对偏置电压也有大体上单调的变化．随着掺杂浓度的增加,振荡频率有非单调的变化,而振幅则单调地逐渐减小．电流振荡频率随偏置电压的变化趋势与已有的实验数据基本一致,其他模拟计算结果还有待进一步实验的验证． 相似文献
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