最打动我的两本书

看过的书,不能说是很多,但我自认为已经差不多了,初中时候曾为徐志摩、席慕荣的自由体诗和散文而痴狂;高中,刘墉、余秋雨、李敖、林清玄也逐渐熟悉起来,现在看起来,不是说他们水平怎样,刘墉不愧是煽情的高手,在感动之后发现什么也没有留下;林清玄知识渊博,但写出来的文章也没有多少创造性,他的代表作《温一壶月光下酒》与《圆真师妹》也不过尔尔,但对苏轼的评论倒还是有几分像样;李敖桀骜不逊,风格独特,《独白下的传统》与《传统下的独白》确实     

CdS修饰低密度TiO2纳米棒阵列复合膜的制备及光电性能

为了提高CdS光敏层在TiO₂一维纳米棒阵列中的填充率,在TiO₂种子层的基础上,采用水热法于FTO导电玻璃表面生长了棒长较短、棒间距较大的低密度TiO₂一维纳米棒阵列膜,通过化学浴沉积在TiO₂纳米棒表面包覆CdS种子层,以此为基底采用水热法于TiO₂一维纳米阵列中生长CdS光敏层。采用SEM,XRD及紫外-可见吸收光谱对不同CdS水热生长时间的TiO₂/CdS复合膜结构进行了表征,并对其光电性能进行了研究。结果表明,低密度TiO₂纳米棒阵列有利于CdS生长液在阵列中渗入形成完全包覆的CdS种子层,CdS光敏层通过水热过程在整个TiO₂纳米棒表面均匀生长,逐渐形成CdS对TiO₂纳米棒阵列的完全填充和包覆,并在阵列顶端形成由CdS纳米短棒组成的花状修饰层;CdS的修饰将TiO₂一维纳米阵列膜的光吸收拓展至可见光区,水热生长7 h所得到的TiO₂/CdS复合膜具有最高光电流。所制备的CdS修饰低密度TiO₂纳米棒复合膜在太阳电池器件中具有很好的应用前景。     

坡度大于70°屋面S形瓦施工工艺

本工艺施工的屋面拼接紧凑,搭接严密,脊、沟顺直,无脱落,屋面防水效果好,观感质量上乘、美观。     

空气喷射对旋转圆筒表面传质特性的影响

通过对旋转雷诺数R,喷射雷诺数Rej,喷嘴宽度和圆筒直径比B／d,喷射距离与喷嘴宽度之比L／B等影响旋转圆筒表面传质特性参数的实验研究,发现：在空气喷射作用下,由旋转产生的第一临界点消失,只存在第二临界点;平均舍伍德数Sh与Rej,B／d和L／B之间的关联式为Sh=0．515Re^2/3（B／d）^0.3（L／B）^0.1;空气喷射对圆筒表面传质的强化作用大于旋转的作用．     

城市生活垃圾焚烧中PCDD/Fs合成抑制物研究

为减少城市生活垃圾焚烧过程中二噁英(PCDD/Fs)的生成量和毒性当量,在实验室规模的焚烧炉上进行了城市生活垃圾与单质硫和氧化钙混烧的对比实验,结果表明:单质硫和氧化钙对城市生活垃圾焚烧过程中PCDD/Fs的生成及其毒性当量均具有显著的抑制作用,抑制率可达到80％以上；在抑制多氯代二苯并呋喃(PCDFs)生成方面,单质硫抑制率要比氧化钙高1.48％,但在抑制PCDFs毒性当量方面,氧化钙抑制率要比单质硫高5.37％;单质硫和氧化钙都能改变PCDD/Fs同系物的分布,且氧化钙更能抑制毒性强的五氯代二苯并呋喃的合成,抑制率达到89.84％.     

截谱模式方法与大气中的多重平衡现象

本文在介绍截谱模式方法的基础上,以强迫耗散的非线性准地转方程为例,用解析方法讨论了不同截断水平下模式方程对多重平衡态的影响。看出,截谱模式方法的最大成功之处在于揭示了大气中多重平衡现象。利用此法可将模式方程转化为耦合常微分方程组。特别是讨论平衡态时,归结为对代数方程的讨论。这就为揭示多重平衡现象和应用突变理论展示大气中突跳现象提供了可能。通过讨论也证实:随着截断水平的加大,平衡态分枝数随之增多,最终将进入“浑沌”状态。     

小处不可随便

近代大草书家于右任是国民党的元老，曾出任国民政府监察院院长。于老先生曾亲手写了一张“不可随处小便”的告示，让秘书贴在监察院墙旮旯处。不一会儿，告示便不翼而飞。     

从会展专业学生就业现状看我国会展教育——试论我国会展专业课程体系建设

会展经济与管理专业本科培养目标是为会展行业输送从事会展管理的专门人才。在对该专业本科生就业调查中发现,实际的就业情况与培养目标存在一定的距离。通过对会展经济与管理专业课程体系和教学实践的改革探索,以期能改变学生就业与培养目标之间存在的偏差,同时也为会展经济与管理专业课程体系建设提供新的思路。     

电阻应变圆板式车削测力仪试验研究

电阻应变式测力仪制造工艺成熟,性能稳定、可靠、价格低廉,使用方便,被广泛的用于多向力的测量系统,园板式测力仪与其它型式的切削测力仪比较,结构简单,刚度大,可推广于其它类型的机床及动态数量。为了对教学,科研提供性能可靠的测力装置,提高板式测力仪的使用性能,我们对它的弹性元件进行了力学分析,找出在各向分力单独作用下弹性薄板的变形,应力,应变情况;并通过激光全息试验,冲击试验和标定工作验证了力学模型和分析结果,为提高测力仪性能提供了必要的理论和实验依据。