排序方式： 共有2条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
用电子束蒸发法在n-Si（100）衬底上制备了Pb（Zr0．52Ti0．48）03（PZT）多晶薄膜,研究了薄膜的表面形貌、结晶特性、红外吸收特性随生长温度和退火温度的变化关系,发现较高的生长温度有利于（101）方向晶粒的择优生长,较高的退火温度能促进（101）方向的晶粒向（110）方向的晶粒转变,（110）择优方向的薄膜对长红外波段的吸收比（101）择优方向的薄膜明显增强． 相似文献
2.
采用电子柬蒸发方法在n—Si（100）衬底上制备Pb（ZrxTi1-x）O3（简记为PZT）多晶薄膜．用X射线衍射分析了PZT薄膜的结晶择优取向与Zr／Ti成分比、生长温度、退火气氛和退火温度的关系．结果表明不同Zr／Ti比的薄膜在真空中退火都形成（110）择优取向;而在空气中退火后薄膜的择优方向与Zr／Ti成分比有关,Zr／Ti比值小时为（101）择优取向,Zr／Ti大时为（100）择优取向．红外吸收光谱的测量结果表明（100）和（110）择优取向的PZT薄膜在长红外波段（8～12um）存在较强的吸收峰,而（101）择优取向的PZT薄膜在这一波段没有明显的吸收峰． 相似文献
1