LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应

基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径.     

掺杂EuSr_2Ru_(1-x)Nb_xCu_2O_8体系的磁性和超导电性

通过对EuSr2 Ru1-xNbxCu2 O8体系的结构、磁化强度和电阻进行观测 ,结果发现 :EuSr2 RuCu2 O8样品呈现超导电性和铁磁性共存 .其超导临界温度为Tconset≈ 35K ,Tc(ρ =0 ) =10K ,铁磁相变温度为TM=130 .2K ;Nb部分替代Ru同时导致铁磁相变温度和超导临界温度的下降 ,前者进一步说明了EuSr2 RuCu2 O8体系中磁有序仅来源于Ru的磁矩 ,而超导临界温度的下降则是由于CuO2 平面载流子浓度下降所致 .     

Nd0.5Sr0.5Mn1−x(Gax, Tix)O3 体系中的电荷有序与自旋有序

通过磁化强度和电子自旋共振（ESR）测量，研究了Nd_0.5Sr_0.5Mn_1−x(Ga_x, Ti_x)O₃(0.04≤x≤0.4)体系的磁特性.发现用少量Ti替代Mn就完全破坏了系统的电荷有序(CO)相,并诱导出团簇自旋玻璃相,这显示了一个CO的坍塌和自旋有序(SO)相增强的过程.然而,用Ga替代Mn将导致系统CO 相的融化.研究还发现,随着Ga替代的增加,CO相逐渐被抑制,但残留的CO相总是存在;而且在低温区反铁磁(AFM)CO相和铁磁(FM)SO共存.此外,我们还观察到磁化强度-温度(M-T)曲线中磁化强度的急剧上升,并把这个反常现象归因于CO区域内从倾斜的AFM SO到FM SO的相变.     

完全阻挫XY模型的Ising型相变

利用短时Monte Carlo方法研究正方点阵上铁磁键和反铁磁键按Z形排列和按列交错排列的完全阻挫（FF）XY模型的Ising型相变,计算这两种模型各自的临界温度Tc、静态指数2β／v,及v、动力学指数z。分析序参量（交错手征磁化强度Mx和交错磁化强度Mst）的选取对Ising型相变的影响,发现只有静态指数v的值明显依赖于序参量的选取。模拟结果表明,这2个FFXY模型的临界温度和临界指数基本相等,属同一个普适类。     

CaCu3 Ti4O12外延薄膜的巨介电常数特性

采用脉冲激光沉积方法制备CaCu3Ti4O12薄膜,研究了其介电常数、交流电导与温度和频率的关系.实验结果表明,CaCu3Ti4O12外延薄膜的介电常数ε在(1kHz,300 K)时高达14700,是目前该体系最好的结果;在1kHz,100~300 K温区内,ε基本保持恒定,热稳定性好、介电损耗低.该特性表明,CaCu3Ti4O12薄膜材料有可能成为信息存储器件更新换代最现实的候选材料.提出薄膜大的内应力可能是其出现巨介电常数的原因,电导与温度及频率的关系是由电子、声子与外电场的共同作用决定的.     

FeCr2S4样品的电磁特性

本文研究了FeCr2S4多晶样品的电磁特性，实验结果表明样品没有价态的变化，体系中不存在双交换作用，导电来源于Fe3d巡游电子，确证Tc以上的输运行为属于磁极化子导电，通过提出磁极化子逐步退局域的图像，同时考虑磁振子散射，解释了整个温区的电阻率行为，外加磁场有利于磁极化子的退局域，因此在Tc附近出现巨磁阻效应。     

物理概念教学探讨

本文从物理概念教学和重要性，影响物理概念教学的主要因素，抓好物理概念教学的主要环节出发来探讨物理概念教学。     

掺杂EuSr2Ru1—xNbxCu2O8体系的磁性和超导电性

通过对EuSr2Ru1-xNbxCu2O8体系的结构、磁化强度和电阻进行观测,结果发现：EuSr2Cu2O8样品呈现超导电性和铁磁性共存,其超导临界温度为Tc^onset≈35K,Tc（ρ＝0）＝10K,铁磁相变温度为TM＝130．2K;Nb部分替代Ru同时导致铁磁相变温度和超导临界温度的下降,前者进一步说明了EuSr2RuCu2O8体系中磁有序权来源于Ru的磁矩,而超导临界温度的下降则是由于CuO2平面载流子浓度下降所致。