形变的SiGe合金中的深能级

该文对生长在Ｓｉ，Ｇｅ及共合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的能级进行了研究。其中形变合金电子的用经验的紧束缚方法进行计算，缺陷能级采用格林函数法进行计算。结果表明，晶格中的形变使原来类的ｐ的Ｔ２能级发生分裂。形变速造成合金的价带有较大的上升，从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级。     

布基管电子结构的紧束缚研究

描述了以（ｎ１，ｎ２）标记的各种布基管的几何结构，采用经验的原子轨道线性组合（ＬＣＡＯ）的方法研究了具有不同直径和旋转度的布基管的能带结构，在此基础上计算了它们的能态密度，结果表明，它们的电子结构不仅与石墨存在较大差别，而且相互之间差异也很大，通过紧束缚近似下对层状石墨Ｐｚ轨道的分析，并考虑到边界条件的限制，得到了关于布基管电子结构的一般规则。