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在光致发光技术对多孔硅光学性质研究的基础上讨论了与多孔硅的微观结构有关的多孔硅的能带结构,用能量赝势法模拟计算出多孔硅的能带间隙. 相似文献
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一种16位存储器版图的验证与参数提取 总被引:1,自引:0,他引:1
随着集成电路的发展,存储器在IC(IntegratedCircuit)即"集成电路"中地位越来越突出.阐述了对一种16位存储器版图设计中的DRC(DesignRuleChecking)即"设计规则检查"和LVS(LayoutVersusSchematic)即"版图和电路比较"、以及RC寄生参数的提取. 相似文献
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更深入地分析了多孔硅形成的几种模型,对影响多孔硅形成的几个关键因素提出了新观点,描述了多孔硅的形成过程的一些特性,指出了多孔硅的应用与发展的前景。 相似文献
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