排序方式: 共有61条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
研究了V C双重离子注入合成纳米结构、相变和抗磨损机制.研究表明,注入后可改变钢的成分,V与Fe原子比最高可达到28%;形成了纳米相弥散强化结构和无序相强化结构.从而提高了钢表面硬度,表面硬度可提高23%~146%;抗磨损也有着明显的提高,磨损阻抗为未注入钢的2.2~3.6倍. 相似文献
2.
采用Ar^+离子溅射方法将300nm SnO2薄膜沉积在Si片上,分别对膜层进行60keV,5×10^16cm^-2Mg^+离子注入和100kdV,6×10^16cm^-1Nb^+离子注入,对未注入,Mg^+离子注入,Nb^+离子注入3种薄膜进行500℃,4h退火处理. 相似文献
3.
Ti离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层,采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是3层结构,表面~120nm为合成的连续硅化钛多晶薄层,在该层中晶格无程度达到40%~50%,中间层厚度约为200nm的高密度的晶格损伤区,晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高,其值可达到77%,并且随深度的增加而下降;第3层则是低密度晶格损伤层,束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。 相似文献
4.
C和Ti双注入H13钢抗腐蚀钝化层的形成 总被引:4,自引:0,他引:4
用多次扫描电位法研究了金属Ti与C双注入抗腐蚀和抗点蚀钝化层生成的条件,用扫描电子显微镜观察了腐蚀坑,发现注入层表面已经形成了具有一定厚度钝化层.这种钝化层既能抗酸性腐蚀,又具有优良的抗碱性点蚀特性.测量结果表明,在C注量不变时,增加Ti注量可使抗腐蚀特性增强;而在Ti注量不变时,增加C注量可使抗点蚀特性增强. 相似文献
5.
采用MEVVA离子注入机引出的离子进行了聚酯薄膜改性研究,考虑到注入离子对表面溅射的强弱与离子的质量密切相关,所以选用质量大小不等的3种离子Cu,Si和C为注入离子,注入后的聚酯膜表面结构发生了很大的变化,用原子力显微镜观察了注入样品表面形貌的变化,表面粗糙度与注入离子质量密切相关.实验结果表明,注入前聚酯薄膜表面粗糙,表面突起密集地分布在表面,其高度可达20~25 nm,C和Si注入后表面突起高度下降到5 nm,随注入离子质量的增加,在注入层粗糙度增加,Cu注入后在表面形成了弥散分布Cu原子的析出纳米颗粒.Cu颗粒起伏高度可达到50 nm.这些变化对聚酯薄膜表面物理化学特性有着重要的影响. 相似文献
6.
The isothermal oxidation behavior
of two kinds of alloying Ti-Al alloyTi-48Al-2Cr-2Nb and Ti-47Al-1Cr-1V-2.5Nb at 800℃ and 900℃
is investigated.Their high temperature
oxidation character and the influence of the alloying element upon the oxida-tion behavior are discussed.The
study shows that the oxidation resistance of two alloying Ti-Al alloy at 800℃ is poorer than that of
48Al.However,their oxidation properties at 900℃ are considerably improved,and the oxidation speed is much
lower than that of 48 Alalloy.At the two oxidation temperatures,Ti-48Al-2Cr-2Nb alloy
shows better oxidation resistance than that of Ti-47Al-1Cr-1V- 相似文献
7.
研究了高能P^+P注入硅和Zn+N双注入GaAsP热退火过程中分形生长过程与退火温度和注入杂质电激活率的关系。分析了2种注入条件下分形生长各自的特点,讨论了分形生长和生长的机理。 相似文献
8.
MEVVA源离子束合成镧硅化物 总被引:1,自引:0,他引:1
用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层,用XRD,SEM分子掺杂层的物相和表面形貌。分析表明,在强流离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类与注量,束流密度及后续热处理条件密切相关,对La硅化物的形成过程进行了讨论。 相似文献
9.
工艺参数对Ni-Cr-Mo-Nb离子多元共渗的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用二次正交回归方法分析研究了工艺参数对Ni-Cr-Mo-Nb离子多元共渗的影响,实验结果表明,渗层表面合金元素质量分数w和渗层厚度d与宏观工艺参数之间存在明确的对应关系,并建立了两者之间的数学模型,确定了工艺参数源极功率密度Ps,气压P和极间距D对渗层表面合金元素的w和d的影响。 相似文献
10.
采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10%,即数密度约10^21cm^-3,注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77K和室温时用441.6nm光激发有Er^3 较强的1.54μm特征发光发射,探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er^3 的光致发光性能。 相似文献