用正电子湮没研究Al-Ni二元系中的固溶体类型

Al-Ni二元系的δ相理想成分为Ni_2Al_3,其室温的均匀范围为38.50—42.19 at.％Ni,单胞体积随Ni含量而变化,在理想成分为最小值。 Al-Ni二元系的β相理想成分为NiAl,其室温的均匀区在45.25—60.1 at·％Ni,它是由二个相互嵌入的简单立方点阵所组成,β相单胞体积随at.％Ni成分变化而变化,在50at.％ Ni处有一最大值。 本工作用正电子湮没技术研究Al-Ni二元系中δ和β相固溶体的类型。     

用正电子湮没研究中子辐照Si

硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受缺陷电荷影响,研究结果表明在半导体中,正电子能被辐射损伤缺陷所捕获.本工作是用正电子湮没寿命来研究经过中子辐照后的单晶硅,未退火及在400～1150℃范围内退火的空位变化情况,讨论了捕获模型.1 实验     

用正电子湮没研究ZnO陶瓷电阻器

ZnO压敏电阻器是以氧化锌为主体,添加其它少量氧化物制成的非线性电阻器,其伏(特)安(培)特性为非线性,也就是施加在ZnO材料的电压低于击穿电压时其电阻很大,几乎为绝缘体,只流过很小漏电流,当电压超过|V_A|(瞬时过电压)时,其电阻大大地减少,电流大幅度地增加。如图1所示,正常态因ZnO电阻大,电流按A回路走,所以起动了机器,当电压加到ZnO的|V_A|时,即达到瞬时过电压后,此时ZnO的电阻突然变得非常小,几乎等于零,这时电流走B回路,因而起到保护仪表或机器的作用。所以ZnO电阻器是一种瞬时过电压抑压器。 ZnO压敏电阻器的导电机制和组分微观结构等问题在国外虽然研究得十分活跃,但尚未搞清楚;国内在这方面的研究报道得也很少。ZnO陶瓷的非欧姆性质是由在ZnO晶粒之间的高电阻晶界层引起的。     

金属钴的磁场冷却感生各向异性与正电子湮没特性

本文用转矩磁强计和正电子湮没技术,研究了Co的磁场冷却感生各向异性生与空位性缺陷密度的关系。结果表明,感生各向异性越大,空位性缺陷越少。