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用自洽场晶体轨道方法,在能量梯度优化单胞所得几何构型的基础上,研究了3种含硫(或氮)杂环与芳环共聚的高聚物半导体材料的电子结构.由于这些高聚物中杂环与芳环的非共面性,使得它们的能带结构中带宽较窄,带隔较大,在未掺杂时为绝缘体物质.但它们的电离势大小与聚乙炔相应值接近,故是较好的P型半导体材料. 相似文献
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用自洽场晶体轨道法(SCF-CO)讨论了顺式聚乙炔取代衍生物的取代基效应。研究表明,这些取代衍生物仍存在带隔。吸电子基团(-CN,-F)的取代使体系的电子亲合势和电离势增大,而给电子基团(-CH_3,-NH_2)的取代,则使体系的电离势降低。 相似文献
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采用PM3半经验分子轨道法,在几何构型全优化的基础上考察了C120XY(X,Y=O,S)分子和部分离子的稳定性,电子结构和红外光谱,计算结果表明,除了C120O2-和三重态C120O2离子外,在五元外中平均引入一个双键,体系能量增加约30-42kJ/mol,计算还发现,中性分子和其相应离子几何构型相差不大,如键长变化小于0.001nm,还有,从氧化物到硫化物前线轨道能级变化很小,C120O2^2-和C120OS^2-的两种异构体的三重态离子均比其单重态离子更为稳定,这意味着两种离子遵从Hund规则,振动分析的结果表明C120O2和C120OS分子的红外图谱与实验结果相符,三重态C120 O2^2-离子的谱图与中性分子的相比较,吸收峰位置变化很小,但是振动强度明显增加。 相似文献
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Whangbo, Hoffmann和Woodward用EHMO为基础的晶体轨道法对图1所示的三种一维周期性梯形链多聚氰(Paracyanogen)模型计算得到,这三种结构的多聚氰由于能带交叠,应具有金属导电性,而不是Paushkin等人认为的这类多聚物材料的导电性在半导体范围;或者这类材料不取图1所示的结构。Bredas等人用VEH(Valence effective Hamiltonian)对 相似文献
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采用密度泛函理论结合对称性破损方法, 研究了一种氮氧自由基Ag(Ⅰ)配合物的反铁磁性耦合机理. 通过磁性-结构相关性研究和单占据分子轨道分析表明, 氮氧自由基间存在通过Ag(Ⅰ)离子的反铁磁性超交换耦合, Ag(Ⅰ)离子在其中起到了重要的桥梁作用. 自旋集居数显示, 沿ONCNO-Ag- ONCNO链有弱的自旋离域, 同时也表明了其反铁磁性超交换耦合路径的存在. 研究还发现, Ag(Ⅰ)与氮氧自由基中氧原子的Ag—O键的确为具有明显离子特性的非典型共价键, 正是通过此键引发了氮氧自由基间的反铁磁性耦合. 相似文献
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氟化并五苯分子光谱和激发态的密度泛函理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用密度泛函理论(DFT)计算了氟化并五苯分子.在几何结构优化的基础上,对其进行频率分析得到了分子的红外光谱和拉曼光谱,并对谱线中的各峰值做了具体指认,同时得到了分子的HOMO-LUMO能隙2.02 eV,表明其是有机半导体材料.利用含时密度泛函理论(TDDFT)对其激发态计算,得到最低10个跃迁允许的单激发态,并分析了光谱的波长范围. 相似文献
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