高二次电子发射系数材料砷化镓的理论设计

根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点,提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计,设计出了特殊的负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓.通过对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行比较和分析,得出:当原电子入射能量较低时,两种材料的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高时,两种材料的二次电子发射系数差值较大,而且随着原电子入射能量的升高,两种材料的二次电子发射系数差值也在增大.     

高能有效真二次电子发射系数与逸出深度和入射角的关系

根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义,从理论上论述了高能原电子斜射入金属发射体内的金属的有效真二次电子发射系数的表达式,然后又根据高能原电子斜轰击金属并激发产生二次电子发射的特点,推导出金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度和高能原电子入射角度的关系式.对结果进行了讨论并得出结论:当高能原电子斜射入金属发射体内时,金属的有效真二次电子发射系数与高能原电子的入射角的余弦函数近似成反比,金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度近似成正比.     

铝的高能二次电子发射系数的表达式

根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义, 推导出高能原电子能量的三分之二次幂与铝的有效真二次电子发射系数的关系式. 根据高能原电子的有效真二次电子发射系数与二次电子发射系数的关系, 推导出高能原电子的能量的三分之二次幂与铝的二次电子发射系数之积为一常数, 并用实验数据计算出该常数, 然后推导了铝的高能二次电子发射系数表达式. 用推导出的表达式计算出一些铝的高能二次电子发射系数计算值, 与现有实验值较好地相符.     

较高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系

从理论上论述较高能原电子对金属射程的能量幂次n、入射能量与有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明该理论的正确性,最后对结果进行讨论并得出结论:入射能量不同但属于同一个能区的较高能原电子轰击同一个金属发射体时,它们的有效真二次电子发射系数与原电子入射能量的n-1次方之积近似为一个常量.     

测量氧化镁的二次电子发射系数

介绍单脉冲电子枪法测量氧化镁的二次电子发射系数的测量系统和测量原理,用该测量系统测量出了原电子能量EP高达几十keV时的氧化镁的二次电子发射系数,对测量结果进行了讨论并得出结论:所测量的氧化镁的最大二次电子发射系数在以前的科技工作者所测的氧化镁的最大二次电子发射系数的范围内,表明用磁控溅射法制备的氧化镁的二次电子发射系数较低.     

计算较高能原电子对金属射程的能量幂次的新方法

论述了某一个能区入射电子对金属平均射程的能量幂次与入射能量、金属的有效真二次电子发射系数的关系,并简化推导了表达式.用实验数据分别算出了属于两个能区的较高能的原电子对金或铝的平均射程的能量幂次.最后对结果进行了讨论.结果显示计算较高能原电子对金属射程的能量幂次的新方法是可行的.     

计算高能原电子对金属射程的常数的新方法

介绍计算同一个能区高能原电子对金属平均射程的常数的方法,然后用实验数据分别算出了属于两个能区的高能原电子对金的平均射程的常数,并用实验数据算出了属于同一个能区的高能的原电子对铝的平均射程的常数,最后对结果进行了讨论并得出结论:计算高能原电子对金属射程的常数的新方法是可行的.