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和的超导转变温度分别为97,128和135K,是迄今为止具有一层、二层和三层CuO_2平面铜氧化物超导体中的最高值。令人感兴趣的是,Hg系超导体对压力非常敏感,当压力P增加到31 GPa时,理想掺杂的HgBa_2Ca_2Cu_3O_8 δ的T_c可达到创纪录高的164 K。研究表明体系在整个掺杂范围表现出超导性质,T_c与CuO_2平面内的空穴浓度(n_H)之间存在着倒抛物线的依赖关系。而且,初始压力系数随氧含量(δ)而变化,并且在过掺杂区也保持正值。这些结果暗示了在常压下通过元素替代或电荷转移以施加“内压力”获得同样高T_c的可能性。 相似文献
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众所周知,氧化物超导体在高温高场下J_c值偏低及显著的磁通运动效应,阻碍了它的各种应用.因此,引进新的钉扎中心,如各种点缺陷(阴阳离子空位、部分元素替代和扩展型缺陷(如离子辐照产生的柱状缺陷)等,提高其J_c,研究相关的钉扎机制,具有理论和实际的双重意义.另外,实验发现,织构化的Y系样品在很大的温度和磁场范围内具有较高的临界电流,显然与样品内具有微米或亚微米尺寸的211脱溶物直接或间接引起的磁通钉扎有关.这说明大尺度的非超导粒子对磁通钉扎也有显著的强化效应.我们在YBa_2Cu_3O_y.体系中引入尺寸约为200nm的MgO纳米颗粒添加物,研究它对临界 相似文献
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报道了用La、Sr、Mn的环烷酸盐溶液,采用两次旋转覆盖的溶胶-凝胶方法在LaAlO3(100)基底上合成了La0.822Sr0.178MnxO3薄膜。阻温特性测量表明:当x=0.9时,样品是绝缘体;当x≥0.944时,随着x的增加,磁转变温度Tc增加,电阻率降低,用该方法得到样品的Tc比其它方法得到的Tc要高。 相似文献
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采用脉冲激光沉积方法制备CaCu3Ti4O12薄膜,研究了其介电常数、交流电导与温度和频率的关系.实验结果表明,CaCu3Ti4O12外延薄膜的介电常数ε在(1kHz,300 K)时高达14700,是目前该体系最好的结果;在1kHz,100~300 K温区内,ε基本保持恒定,热稳定性好、介电损耗低.该特性表明,CaCu3Ti4O12薄膜材料有可能成为信息存储器件更新换代最现实的候选材料.提出薄膜大的内应力可能是其出现巨介电常数的原因,电导与温度及频率的关系是由电子、声子与外电场的共同作用决定的. 相似文献
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介观电路中电荷、电流的量子涨落 总被引:48,自引:0,他引:48
近年来,宏观量子力学与介观物理问题的研究十分引人注目,并已取得了一系列的研究成果。随着微电子技术的发展,人们竭力提高电子器件的工作速度,因而不断降低元件的尺寸,可是这种努力终将由于集成度的提高,使单位面积功耗增加以及元件尺寸缩小,带来原理性的限制而达极限。因此,必须考虑器件以及电路的量子力学效应。早在50年代,Landau、路易塞尔等物理学家就用量子力学方法研究宏观的电路问题。最近,由于介观物理的兴起,使这一问题的研究又成为热点。本文用量子力学方法,研究了一个有源RLC电路的电荷、电流量子零点涨落,给出了绝对零度时,该电路的量子噪声的大小。 对于一个与电压电源ε(t)串联的RLC电路,它的经典运动方程为 相似文献