首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6篇
  免费   0篇
  国内免费   1篇
系统科学   1篇
教育与普及   2篇
综合类   4篇
  2023年   1篇
  2018年   1篇
  1997年   1篇
  1992年   1篇
  1986年   1篇
  1984年   2篇
排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
两种蛙科无尾类的核型   总被引:1,自引:0,他引:1  
腹斑倭蛙:2n=26(16M 1-SM),NF=52,除Nos,2,3,4,6,9等五对为SM外,其余诸对均为M,次缢痕位于8q,威宁蛙2n=26(18M 8SM),NF=52,除Mos,3,4,6,7 等四对为SM外,其余各对为M,次缢痕出现在1q和7q两处,前者频率较高,根据相对长度,臂比值和次缢痕的位置和数目讨论了蛙亚科的核型演化机制,推断可能是相互易位和臂间倒位为主。  相似文献   
2.
邓惠雄  魏苏淮  李树深 《科学通报》2023,(14):1753-1761
随着电子信息技术进入后摩尔时代,人们期望探寻一些新材料、新技术以推进半导体科学技术的发展.作为新一代战略电子材料,宽禁带半导体的技术应用近年来取得了飞速发展.宽禁带半导体的掺杂与缺陷调控是实现其重要应用价值的关键科学基础.本文主要介绍了我们和合作者近期围绕碳化物、氧化物、氮化物宽禁带半导体中掺杂与缺陷机理及性能调控展开的研究工作,具体包括:(1)探究4H-SiC中本征缺陷的电学和动力学性质,解释了实验上4H-SiC的有效氢钝化现象的内在物理机制;(2)研究In2O3中过渡金属元素的掺杂物理性质,提出了过渡金属掺杂的设计原则,并预测过渡金属Zr、Hf和Ta在In2O3中具有优异的n型特性;(3)采用轻合金化法调控Ga2O3材料的价带顶位置,并通过选取合适的受主杂质(如CuGa),有望使(BixGa1–x)2O3合金成为高效的p型掺杂宽禁带半导体(4)...  相似文献   
3.
Glyptothorax fukiensis是瑞典学者Rendahl于1925年根据福建西部连城的标本提出的,是继1908年英人Regan发表的G.sinense后,在我国描述的纹胸(鱼兆)的第二个新种。以往,中文名称均冠有“福建”二字。其实,这个种的分布区远远超出福建省的范围:东起福建、浙江,西至云南红河、四川,南起海南、北止秦岭的广大地域都有它的踪迹。因此,虽然拉丁学名是“福建”之意,不应改动,但中文学名似以不称“福建纹胸(鱼兆)”为宜,以免发生了误解。另一方面,该种与同域分布的G.sinense主要区别是它的臀鳍起点处体较高,故称之为高臀纹胸(鱼兆)。  相似文献   
4.
纹胸(鱼兆)属(Glyptothorax Blyth,1860),隶鲇形目(鱼兆)科(Siluriformes,Sisoridae),1860年Blyth把它从Glyptosternon中剔离出来,并指定分布于缅甸南部色塘河的线纹胸(鱼兆)Glyptothrax trilineatus Blyth为模式种,并限域该属鱼类胸部有吸着器,胸、背鳍具硬棘……。这是很有价值的订正。纹胸(鱼兆)属应该是这样一群鱼类:头一般扁平,头后身体稍扁平,也有呈园筒形的。胸部皮肤特化为纵向皱褶的吸着器。背、胸鳍都有较强大的棘,胸鳍棘内缘常具锯齿。有些种类,胸、腹鳍的第一根鳍条腹面皮肤有皱褶。尾鳍叉状;眼小,上位,为皮膜所盖。须四对,一对鼻须把鼻孔分开,一对上颌须基部膜状;二对颐须。上下颌具齿,多呈新月形齿带。鳃孔较大,鳃膜在腹面与鳃峡皮肤相联。鳔为左右二室,被骨膜包裹。是一群小型底栖鱼类,多生活于山区急流或山麓河川。  相似文献   
5.
本文对世界范围的纹胸鱼类的分类,分布及演化起源作了分析,提出了属名的同物异名,亚属的划分,并指出喜马拉雅山南麓及横断山脉中段是该属鱼类的分布中心。横断山脉中段是它的起源中心。最后,讨论了迁移路线及物种形成的方式。  相似文献   
6.
南水北调中线总干渠工程是一个由不同渠段和各个建筑物组成的庞大复杂的大系统。本文采取两层控制结构,在子系统上建立报酬函数的子系统择优,然后利用动态规划理论进行整体寻优,实现了河北省境内461Km渠道和63座建筑物的水头最优分配,为总干渠总体设计提供了科学决策.  相似文献   
7.
掺杂技术是现代半导体技术的核心之一.本文介绍了荣获2017年国家自然科学奖二等奖的项目,重点围绕宽禁带半导体材料、二维半导体材料的能带结构和器件,系统地研究了几类重要的半导体材料的深能级掺杂机制,并进行性能预测.主要创新工作包括:(1)提出了钝化共掺杂方法,增加了TiO_2的光催化效率;(2)发现了空穴导致非磁半导体中d~0铁磁性的新的物理机制;(3)为克服小量子系统掺杂瓶颈,提出通过共掺杂方法在材料中形成杂质能带,降低杂质电离能以提高载流子浓度;(4)对两类新型的二维半导体材料,即过渡金属硫化物以及石墨炔,发现了一系列新奇的物理现象和掺杂机理.这些工作对半导体掺杂理论的发展、新一代纳米器件和第三代半导体器件的结构设计以及性能预测将起到重要的指导作用.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号