高频MOS－CV特性的界面态形变及其测量

讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Ｑ（ｉｔ）对高频ＭＯＳ－ＣＶ特性线的形变规律，提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法，以此算出Ｑ（ｉｔ）密度在禁带中的分布，并对常规高频ＣＶ法的测量误差作了讨论和修正，由于数据的采集和处理可以由微机完成，使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。     

Growth of centimeter-sized C60 single crystals

C60 single crystals larger than one centimeter in size are grown with vapor method by nucleation control and by a proper time-dependent temperature process which allows only one nucleus growing larger and larger. X-ray diffraction patterns exhibit the high quality of the sample. As an example of the applications of large single C60 crystals,svnchrotron radiation photoemission spectra are measured to investigate the fine structure of valence bands of C60 crystals.     

K_3C_(60)光电离截面振荡

对K3±δC60 多晶薄膜进了同步辐射光电子谱研究 .入射光子能量为 17～ 86eV .实验发现K3±δC60 光电子谱的HOMO_1,HOMO及LUMO等导出能带的谱峰强度均随入射光子能量的增加而呈现振荡的性质 ,与纯C60 的光电子谱峰随入射光子能量变化的趋势相似 .结合C60 分子独特的笼状几何结构 ,认为其电离截面的变化是由于K3±δC60 的末态电子在C60 分子笼内形成球状驻波引起的 .以驻波的边界条件为基础进行理论计算 ,得到的电离截面极小值对应的光子能量与实验得到的结果符合良好 .     

厘米线度C60单晶生长

控制气相法晶体生长的成核过程可使成核数目较少.在此基础上,通过设法使这少量晶核中只有一个能在随后的生长过程中不断长大,成功制备出厘米线度的C60单晶.X射线衍射谱和Laue像表明单晶具有较好的品质.作为大尺寸C60单晶的应用之一,测量了这种样品上的同步辐射角分辨光电子谱以深入研究C60晶体的价带结构和能量色散.     

厘米线度C60单晶生长

控制气相法晶体生长的成核过程可使成核数目较少，在此基础上，通过设法使这少量晶核中只有一个能在随后的生长过程中不断长大，成功制备出厘米线度的C60单晶，X射线衍射谱和Laue像表明单晶具有较好的品质，作为大尺寸C60单晶的应用之一，测量了这种样品上的同步辐射角分辨光电子谱以深入研究C60晶体的价带结构和能量色散。     

2006中国——新加坡物理学前沿研讨会

2006中国—新加坡物理学前沿研讨会（China----SingaporeInternationalJointSymposiumonResearchFrontiersinPhysics）于2006年5月19-21日在浙江大学举行。中国一新加坡物理前沿研讨会每年举行一次，上次研讨会于2005年8月在新加坡举行。本次会议由浙江大学物理系承办，得到了中科院物理所、中国科技大学、厦门大学等单位的鼎力支持。