排序方式: 共有38条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一个例子,它是指在外加垂直电场的作用下,跃迁能级能量的变化,这种能量的变化称为Stark位移.其不仅存在于半导体量子阱的带间跃迁中,同时也存在于子带间跃迁中.在包络函数近似下,利用求解一维Schr(?)dinger方程,研究了GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构中的Stark位移,通过微扰理论计算指出在一定的结构设计下,Stark位移量可以达到方形量子阱结构的两倍.根据理论计算,考虑到生长条件的具体限制,在半绝缘GaAs衬底上外延生长了样品.1μm GaAs缓冲层之上是50 nm的AlAs剥离层,然后是300 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层,接下来为50周期的阶梯量子阱结构.每个结构单元由 2 nm的 GaAs,8 nm的Al_(0.15)Ga_(0.85)As和4 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As构成.在阶梯量子阱结构之后是200 nm的 Al_(0.3)Ga_(0.7)AS和 相似文献
2.
采用γ射线辐射接枝的方法在无纺布纤维表面接枝苯乙烯。将接枝改性后的无纺布浸渍于丁酮/PVDF-HFP/丁醇混合液中,真空干燥后制得多孔的无纺布支撑聚合物电解质复合膜。以其为隔膜组装了聚合物锂离子电池(LiMn2O4/无纺布聚合物复合膜/Li),进行充放电测试。研究结果表明,无纺布聚合物复合膜具有合适的厚度,一定的机械强度。辐射接枝提高了无纺布与聚合物混合液的结合力,在电池的充放电循环过程中不易发生短路,电池的容量和循环性能得到显著提高。 相似文献
3.
4.
5.
6.
作为抗爆结构的重要组成部分,在发生偶然爆炸时抗爆门会直接承受高压爆炸荷载作用.抗爆门设计的合理与否直接关系到整个抗爆结构的成败.为了使抗爆门的设计更加合理可行,对《抗爆间室结构设计规范》中抗爆门的设计方法进行了探讨,结合抗爆门设计实例,给出了抗爆门的设计流程,可为类似工程提供参考. 相似文献
7.
英语词汇量巨大,英语同义词丰富,并且表达方式多种多样,使得描绘绚丽多姿的现实世界、表达复杂细腻的思想感情成为可能。所以在汉英翻译中掌握好同义词的辨析和应用,对翻译质量的好坏能够带来重要的影响。 相似文献
8.
9.
10.