应用于超大规模集成电路的新材料WSi2的快速热退火形成

用喇曼散射、扫描电镜、转靶X射线衍射、俄歇电子能谱和电阻率的测量研究了共溅射W-Si薄膜经真空15秒快速热退火后形成WSi_2的行为.在331和450cm~(-1)处有两个WSi_2的特征喇曼峰.随着快速热退火温度的升高,WSi_2的晶化不断增强.发现WSi_2中伴有W_5Si_3相存在,但其行为仍显示为WSi_2的特征.     

黄土不同湿状态下破坏动强度的试验分析

对西安、兰州、太原三个典型黄土地区的原状黄土在不同初始湿度下进行了黄土动力特性的研究。通过对破坏动应力试验资料的对比分析,揭示了密度、湿度及结构性等因素对黄土破坏动强度影响的规律性,并对其做出了合理的解释。     

具有刚性下卧层的平面弹性地基的位移计算

通过Ｆｏｕｒｉｅｒ变换求解位移方程, 推出了具有刚性下卧层的平面弹性地基的位移计算公式, 并给出了常见荷载作用下地表沉降的计算公式, 以便于工程实际应用。     

同时形成用于浅结器件的TiNxOy／TiSi2的热稳定性

用900℃15秒快速热退火使硅上钛膜在高纯NH_3中同时形成TiN_xO_y/TiSi_2双层结构.研究了TiN_xO_y作为Al的扩散势垒的有效性.结果表明,Al/TiN_xO_y/TiSi_2/Si接触系统直至550℃在N_2中烧结30分钟仍然具有良好的热稳定性.     

强夯地基黄土的动力特性参数及其与振动频率的关系

对非饱和的（特别是低湿度的）经强夯处理的黄土,在较高频率动载条件下的动力特性进行了试验研究,得出了强夯地基黄土动力特性参数与振动频率之间的一些关系。     

用电火花技术制作P型高阻硅的欧姆接触

检测高阳硅单晶材料的杂质补偿度和迁移率时,必须要有良好的欧姆接触。本文提出用银头烙铁将多元合金(InBAlNi)涂敷在P型硅片上,经电火花放电技术可对电阻率高达1000Ωcm的样品制成欧姆接触。通过电流电压特性、接触电阻率和离子探针的测量,讨论了欧姆接触的机理和载流子输运的特征。电火花技术使多元合金与高阻P型硅样品在电容器放电的瞬间所产生的高能量作用下,交界面处的硅与合金相互熔融,冷却时,电活性受主元素又以高浓度析出,使原来的高阻硅变为P~ ,形成了欧姆接触。不同温度的接触电阻率测量,结合与掺杂浓度关系的计算表明,穿过金属与半导体硅接触的电流输运是热离子场发射机理,载流子隧穿势垒是主要的输运过程。     

饱和土及尾矿砂的应力比与应变增量比关系研究

在饱和Ｑ２、Ｑ３黄土、饱和粉质粘土及饱和尾矿砂固结排水三轴试验的基础上，研究了粘结力σ０（σ０＝ｃ．ｃｔｇφ）不等于零时材料的应力比与应变增量比关系。结果表明，在扩展强度发挥面上，这几种材料的应力比与应变增量比之间仍具有线性关系。当材料的应力应变关系为弱硬化型时，应力比与应变增量比关系为两段斜率不同的直线；而当材料的应力应变关系为硬化型时，应力比与应变增量比关系为一条直线；固结应力、密度对这种线性关系的参数没有影响。     

硅单晶中漩涡缺陷显示的新方法

本文报导一种显示漩涡缺陷的新方法——阳极电解付蚀法。以硅为阳极,在5％HF的电解液中电解付蚀,能直接观察漩涡缺陷的显示过程。漩涡缺陷在(111)N—Si申是三角形或截角三角形的浅坑,在(100)N—Si中的浅坑呈十字花形。P—Si中的形貌特征不是坑而是凸起的小丘。用Si——电解液的界面结构模型解释了实验结果。