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1
1.
掺硫低位错磷化铟单晶生长和性质
总被引：2，自引：0，他引：2
方敦辅
王祥熙
徐涌泉
缪涵英
牟盘健
《应用科学学报》
1983,1(3):235-242
在高压液封直拉(LEC)法生长InP单晶时,利用杂质效应掺入硫,可以有效地降低位错密度.当载流子浓度达3×10
18
cm
-3
时,位错密度降低到108cm
-2
左右,此时补偿比在0.1~0.3之间.硫在InP中的有效分配系数为0.68.掺硫InP单晶具有较好的径向及纵向均匀性,这将给稳定器件工艺及提高材料利用率带来好处.
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