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徐至中 《复旦学报(自然科学版)》1995,34(3):269-276
采用紧束缚方法计算生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｊ２）４／（ＧａＡｓ）的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。 相似文献
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徐至中 《复旦学报(自然科学版)》1995,34(5):586-590
采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层的带间光跃迁振子强度，以及生长在Ｓｉ（００１）衬底上的应变超晶格的三次非线性光极化率。 相似文献
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X光电子谱(XPS)已在固体表面成分分析及表面电子能态的研究中获得了广泛的应用。但是由于常用的X光源的非单色性以及电子能谱仪本身的仪器传递特性,常使X光电子谱的谱形加宽,分辨率降低。为此,常采用退卷积的方法对XPS实验数据进行数字处理[1],以提高其分辨率。在退卷积时,首先必须知道谱线的加宽函数。我们采用了两种方法对加宽函数进行了测量,并获得一致的结果。 相似文献
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前文讨论了空间群算符矩阵元的简约,本大利用所得的结果,应用于以下几种问题:计算对称化平面波的耦合系数,建立一级简并微扰理论的哈密顿量,计算晶体中电子的g因子;也计论了时间反演对称对空间群算符矩阵无简约以及对一级简并做扰理论哈密顿量的影响。 相似文献
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该文对生长在Ｓｉ，Ｇｅ及共合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的能级进行了研究。其中形变合金电子的用经验的紧束缚方法进行计算，缺陷能级采用格林函数法进行计算。结果表明，晶格中的形变使原来类的ｐ的Ｔ２能级发生分裂。形变速造成合金的价带有较大的上升，从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级。 相似文献
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徐至中 《复旦学报(自然科学版)》1995,(3)
采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｉ２）４／（ＧａＡｓ）４的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响． 相似文献
8.
本文把Brown及Dennis提出的非线性最小二乘方算法应用到X光电子芯态谱的解叠处理,得到了很好的结果.文中还列举了某些具体例子. 相似文献
9.
徐至中 《复旦学报(自然科学版)》1995,(5)
采用紧束缚方法计算了生长在ＣｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层的带间光跃迁振子强度，以及生长在Ｓｉ（００１）衬底上的应变超晶格（Ｓｉ２）４／（ＧａＡｓ）４的三次非线性光极化率． 相似文献
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