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提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势垒起源的新观点,认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散,与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系,并用此理论解释了许多实验现象。 相似文献
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通过对Ba(Sn,Sb)O3和Bi2O3化合物的复合,设计并得到了晶界偏析型复合陶瓷结构.由于复合材料的晶粒具有极小的B值而晶界势垒也极小,使得该复合材料的电阻-温度特性呈现出良好的线性特征.通过调节Bi2O3的含量,可以方便地调节复合材料的室温电阻率. 相似文献
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根据PTCR半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果,对PTCR半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型,通过对阻抗-频率关系曲线的测量,求出了PTCR半导瓷的特性参数.计算结果表明,老化后室温阻值增加,这主要是电极氧化引起的.对实验结果进行了物理本质的初步探讨. 相似文献
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在制造PTC粉体和器件时,粘合剂PVA加入BaTiO3浆料进行喷雾造粒,通过对浆料和粉体性能的测定,发现PVA加入量、迁移对浆料的粘度和粉体的松装密度、粒径及粒度分布均有影响,并且研究了PVA的粘结作用.选择合适的PVA加入BaTiO3浆料中,通过喷雾造粒,可制得颗粒形状呈球形且粒径分布合适、流动性好、松装密度恒定的PTC粉体. 相似文献
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BaTiO3半导瓷注凝成型坯体的干燥研究 总被引:2,自引:0,他引:2
将PEG(聚乙二醇)溶液干燥法应用于BaTiO3半导瓷注凝成型坯体的干燥,由于PEG溶液可以和坯体的所有表面接触,因此可提供更均匀的干燥介质,从而减小在干燥过程中产生的应力.研究表明,注凝成型坯体在PEG溶液中干燥2~3h即可在无变形、无开裂等安全情况下失去(质量分数为)20%~30%的水分,完成大部分收缩,接着在室温空气中或加温干燥,不会引起坯体变形开裂,与传统的空气干燥法相比,大大提高了干燥效率.坯体干燥时间与固相体积分数、试样的厚薄、试样尺寸的纵横比等密切相关,若固相体积分数越低,试样越薄,则干燥速度越快;若减小圆柱体试样的纵横比,则水分扩散方式由径向往纵向转变. 相似文献
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研究了Nb掺杂Ba-Sn-W-O系复合陶瓷材料的显微结构及电导特性。研究表明,该系列材料是主导电相为Ba(Sn,Nb)O3的低B值NTC热敏电阻材料,Nb2O5的引入,在烧结过程中可能在两主晶相晶粒的表层分别产生VBa和Vo,影响烧结过程中的扩散机制。当Nb2O5的引入量约为1.0mol%时,可促进该系列材料烧结成致密瓷。 相似文献
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水热法合成纳米晶SnO2的气敏特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以锡粉和硝酸为主要原料,采用水热法合成了纳米晶SnO2粉体,研究了其厚膜元件对空气中低体积分数H,2S气体(2~100μL/L)的敏感特性.结果表明:170℃水热处理3~13 h获得的SnO2粉体结晶良好,呈四方相金红石结构,其X射线射峰宽化明显,颗粒尺寸为数纳米且分布窄.随着水热处理时间的延长,颗粒尺寸及结晶程度有所提高.170℃水热处理9 h得到的SnO2粉体颗粒尺寸约为4.4 nm.利用该粉体制作的厚膜元件晶粒细小均匀,晶粒尺寸约为10.0 nm.在最佳工作温度150℃下该元件对低浓度H,2S气体具有良好的响应一恢复特性,对50 μL/LH,2S的灵敏度为20.5,敏感体积分数下限低至2 μL/L,而对体积分数高至1 000μL/L的CO及CH4两种气体均不敏感. 相似文献
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研究了 Zn O玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响 .发现玻璃料的添加量 w玻璃料 一般在 8.0 %~ 1 0 .0 %时效果最佳 .Sb2 O3的引入可生成 Zn7Sb2 O1 2 尖晶石相 ,抑制晶粒的生长 ,并使压敏场强E和非线性系数 α值增加 .Co和 Mn的添加使界面态密度增加 ,引起势垒升高 ,使非线性特性显著提高 相似文献
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平行板多层介质径向波导的本征模 总被引:3,自引:1,他引:3
对平行板多层介质径向波导(径向均匀)进行分析是采用径向模式匹配法分配介质加载圆柱腔的基础。从理论上首先采用了赫兹矢量法分析了平行板多层介质径向波导TE^Z模和TM^z模的场分布,然后利用Sturm-Lowville本征值理论讨论了本征模横向矢量场的正交完备性。 相似文献