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以双通多孔氧化铝(AAO)为模板用软印模法制作出硅胶(PDMS)纳米线团簇结构,用离子束溅射沉积法在硅胶纳米面条衬底上镀一层50nm的金膜,制成大面积、超高灵敏的SERS基底.以不同孔径的AAO为模板,制作出不同直径的纳米线.用罗丹明6G为探针分子,通过对不同直径纳米线形成的团簇SERS基底进行拉曼信号测量发现,所有SERS基底都显示出可观的拉曼信号增强效应,平均拉曼增强因子随着纳米线直径的增大而增大,最大的增强因子超过2×107.如此大的拉曼信号增强归因于大量纳米线间隙中的超强电磁增强效应. 相似文献
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给出了一种以双折射晶体为衬底,实现高消光比的微纳光纤起偏器的方法.利用双折射晶体为衬底,研究了在不同折射率和半径的微纳光纤中传播的光波的偏振特性.当采取的微纳光纤的折射率在双折射晶体的寻常光折射率和非寻常光主折射率之间,且光纤和晶体光轴夹角足够大时,可以实现在微纳光纤中起偏.改变微纳光纤半径以及光纤和双折射晶体光轴之间的夹角可以对消光比进行调控,半径越小,消光比越大;角度越大,消光比越大.对于半径为2.1μm微纳光纤,最大的消光比为22.74dB. 相似文献
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