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MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了金属-绝缘体-SiC(MISiC)结构肖特基二极管(SBD)气体传感器敏感机理,通过将热电子发射理论与隧道理论结构,建立了器件物理模型。模拟结果表明,响应特性与金属电极类型,绝缘层厚度,气体吸收效率和温度有关。模型结果与实验符合较好。通过模拟,得到MISiC结构最佳绝缘层(SiO2)厚度应为1nm左右。 相似文献
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PCR芯片控温系统研究 总被引:4,自引:0,他引:4
通过采用以单片机为核心的数字电路控温技术、PWM技术以及PID控温算法,研制出成本低、控温精度高、能用于DNA扩增的PCR芯片温度控制系统。 相似文献
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