射频溅射法制备Pb1—xCoxSe薄膜及物性研究

利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体Ｐｂ１－ｘＣｏｘＳｅ薄膜研究了薄膜的成分结构以及电阻率－温度特性和磁化率温度特性间的关系，结果表明，由于Ｃｏ离子介入，Ｐｂ１－ｘＣｏｘＳｅ发生了由金属特性的向半导体特性的转变，在充分低的温度下，并伴有磁相转变，磁相转变温度与磁性离子浓度相关，磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关。