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表面声波(SAW)在GaAS／AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时，在通道中可诱导产生声电电流，根据准经典(WKB)近似，计算出一维电子通道钳断情况下的量子化声电电流，并详细讨论了源漏偏压和库仑相互作用对声电电流的影响。 相似文献
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表面声波(SAW)在GaAs／AlxGa1-x As量子阱表面沿一维电子通道方向传播时，可诱导产生声电电流，由于GaAs／AlxGa1-x As材料的压电效应，伴随SAW要产生一个压电运动电势，该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关，作者采用准经典(WKB)近似，研究了2DEG的深度对一维电子通道中声电电流量子化特性的影响。 相似文献
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