非晶金属内耗峰不对称性起因简析——几种非晶钯合金中氢引起的内耗峰

基于文献[1],我们由非晶 Pd_3Si 和 Pd—Cu—Si 中的内耗峰求得了氢的表观激活能E_A 和真正激活能 E_A。指出了非晶态氢峰的不对称性是由相关态的红外发散效应造成的;氢原子的短程扩散机制采取热激活隧道模式。     

离子导体中的内耗介、电损耗和NMR弛豫

本文给出含红外发散效应的响应函数,在NMR弛豫、介电损耗和内耗三种情况下,此函数的形式相同。除常数因子外,T_1~(-1)、x〃/βω和Q~(-1)/βω具有相同的频率和温度的依赖关系。而且,在Na β-Alumina中,三种情况下的红外发散指数n都等于0.7;理论求得的表观激活能E_A~*与实验所求得的激活能相符;理论还求得真正的激活能E_A(～0.04eV)。