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利用渗流技术在工业纯铝中引入宏观尺度的石墨颗粒,研究该宏观缺陷界面附近的微观缺陷(位错)形态及对材料内耗的影响.结果表明,在连续升温测量过程中,大约在260℃附近观察到了一个内耗峰,其峰位与频率无关,峰高与测量频率的倒数和升温速率近似成直线关系,且表现出正常振幅效应.而在没有宏观石墨颗粒增强的工业纯铝样品中无峰出现.通过透射电子显微镜(TEM)观察,发现在石墨颗粒/基体界面附近存在高密度位错.根据内耗实验结果和微观结构特征的观察,认为该内耗峰的机制与基体和增强物之间因热膨胀系数的不同而诱发的高密度位错以及位错在外加应力作用下的运动有关. 相似文献
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利用渗流法在ZA27合金中分别引入线尺寸为毫米量级的宏观孔洞和石墨颗粒,对比研究了该两种缺陷对材料阻尼行为的影响.实验表明,引入孔洞对ZA27合金的阻尼本领影响很小,而引入宏观尺度的石墨颗粒,其低温内耗变化不大,高温内耗峰明显下降.据初步分析认为,在ZA27合金连续升温测量过程中出现的内耗峰为一相变峰,石墨颗粒的引入,可能会对该相变过程从而对内耗峰的产生起到一定的抑制作用. 相似文献
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