单晶-多晶硅P~+N结二极管基区载流子的寿命

本文研究了单品－多晶硅Ｐ＋Ｎ结二极管基区载流子寿命与掺杂浓度、晶粒大小 的关系。在重掺杂 Ｐ型单晶硅上，用 ＬＰＣＶＤ法生长多晶硅薄膜，离子注入磷后， 形成 Ｐ＋Ｎ结。掺磷浓度从 ５．４×１０１４ｃｍ－３变化到 ６．０×１０１８ｃｍ－３，相应二极管的 基区少数载流子寿命从１．４×１０－１０Ｓ减少到７．５×１０－１３ｓ并且随着晶粒尺寸的增加， 寿命变大。实验结果和 Ｈｏｗａｒｄ Ｃ．Ｃａｒｄ等人对 Ｎ型多晶硅少数载流子寿命随掺 杂浓度、晶粒大小变化的理论相符合．     

多元逻辑电路(DYL)线性“与或”门均匀性的研究

Comparing the theoretical ana1ysis with the experimental results the authors have proved that the uniformity of linear "and/or" gates mainly depends on imput voltage and load resistance. When imput voltage is low, the uniformity changes a little with the load resistance. When imput voltage is high, the smaller the load resistance is, the more obviously the uniformity changes with imput voltage.     

多晶硅薄膜和金属铝接触的研究

研究了ｎ型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度Ｎ≥２．９×１０１９ ｃｍ－３的情况下为欧姆接触：在掺杂浓度Ｎ≤２．９×１０１８ｃｍ－３的情况下为整流接触； 用ＴＬＭ方法测出了Ｎ＝２．９×１０１９ｃｍ－３时的接触电阻率ρｃ＝５．５４×１０－３Ω．ｃｍ２； 从理论上定量地分析了掺杂浓度（１．４×１０１７～２．９×１０１９）ｃｍ－３的Ｕ－Ｉ特性曲线．理 论计算结果和实验数据符合较好．讨论了肖特基势垒高度φｂ和晶粒间界势垒高度φｇ 随掺杂浓度变化的规律，φｂ不随Ｎ变化，保持为常数；而φｇ却有极值。在实验 方面．探讨了用Ｔｉ代替Ａ１实现低阻浅结欧姆接触的可能性。在掺杂浓度较低的情 况下，给出了制备欧姆接触的方法。