聚合物表面等离子体接枝共聚改性

聚合物表面等离子体接枝共聚改性张砚臣，顾彪，徐茵（大连理工大学电磁工程系，大连１１６０２４）１实验实验装置由玻璃钟罩放电室、处理室、样品台、０～１ｋＷＲＦ功率源和电感线圈、针阀、氩气源、接枝单体－丙烯酸、Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针测量系统、真空监测系统等组...     

深冷处理引起高速钢的性能改善与微结构变化

介绍了对Ｗ６Ｍｏ５ＦＣｒ４ＶＫ２、Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ高速钢刀具进行－１９６℃深冷处理的实效；研究表明，对于经过淬火与三回火的高速钢、引起其强韧性提高的主要原因是深冷处理导致了材料的晶粒细化与碳化物微小颗粒的弥散析出，残余奥氏体向马氏体转化不是其韧性提高的主要原因。     

等离子体清洗GaAs和Al2O3衬底的RHEED图像分析

针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)工艺对其分别进行纯氢、氢氮等离子体清洗,并配备高能电子衍射仪(RHEED)实时监测清洗过程．CCD的RHEED图像分析表明,在一定条件下用纯氢等离子体对GaAs衬底清洗只需1min左右,即可得到比较平整的清洗表面,但清洗2min以上表面质量开始变坏．若在氢气中加入少量氮气,清洗时间可延长至10min左右．而Al2O3衬底对纯氢等离子体的清洗时间比较敏感,清洗2min左右就能获得平整的清洗表面,若时间延长到4min,表面质量将开始变坏．如果采用氢氮等离子体清洗,约需20min时间,而且在很宽的清洗时间范围(20～30min)内都能获得良好的清洗表面．     

GaN生长工艺流程实时监控系统

分析了在ECR-MOCVD装置上外延长生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素，在此基础上，设计了一套由80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统，用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控，并提出了一种合适的工艺流程监控策略，阐述了如何从软件上确保工艺流程的连续可靠运行。实践证明，轮硬件系统设计合理、抗干扰措施完善，很好地保证了工艺流程的连续可靠运行，实验数据的可靠性和工艺流程的可重复性也大大提高，并以类似系统的工艺过程自动化设计具有一定的指导借鉴意义。     

Al2O3衬底上低温生长GaN薄膜的一种新方法

研究了 ECR- PAMOCVD在蓝宝石衬底上生长 Ga N外延层时衬底的清洗方法和缓冲层结构对于 Ga N晶体质量的影响 ,提出了新的衬底清洗方法和双缓冲层结构 .实验表明这种方法能够提供一个很好的生长基底 ,可以有效地改善 Ga N外延层的晶体质量     

无声放电对聚酯织物表面的等离子体接枝改性

利用无声放电方法对聚酯（ＰＥＴ）纤维表面进行接枝改性,为改善聚酯织物的染色性能提供了一条新途径,傅里叶红外光谱（ＦＴＩＲ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）表明,ＰＥＴ纤维经无声放电引发气相接枝丙烯酸改性后,表面的羰基、羟基和羧基等极性基团增加,氧碳摩尔分数比增大。扫描电镜（ＳＥＭ）观察发现纤维表面粗糙度随放电时间增加而增大,改性后的涤纶对碱性染料的上染率有所提高。     

常压辉光放电的建立及其特性实验研究

常压辉光放电（APGD）是新近发展起来的一种等离子体源,与低气压辉光放电相比更具有工业应用前景,本文详细介绍我们实验室在大气压条件下建立的均匀稳定、介质垒同辉光放电等离子体发生装置,该放电发生采用频率为10kHz和20kHz高压电源、平板电极,民彬覆盖绝缘层,间隙2－3mm,可在多种气体环境下稳定运行,放电电流波形和电压一电荷李萨如图形的测量充分表明它确实是常压下的均匀辉光放电。