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制备了耐高温低膨胀聚甲氧基有机硅(PMOS)/莫来石杂化材料。FT-IR 与 XRD 测试表明材料在热处理过程中 PMOS 基体逐渐降解,而莫来石晶体则随温度的升高而稍有生长;TG 测试表明材料在800 ℃高温处理后仍有 93.4% 的质量残留;SEM 显示莫来石均匀分散在 PMOS 基体中;材料的冲击强度随热处理温度的升高而先减小后增大,800 ℃热处理后材料的冲击强度为924 J/m2;材料的膨胀系数很低,且随莫来石含量的增加而减小;聚甲氧基有机硅/莫来石杂化材料具有良好的耐高温性能与低热膨胀性能。  相似文献   
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