桥接故障的物理提取和高效测试

为桥接故障候选点建立7种基于版图的物理模型,给出提取故障候选点的方法.为了更有效地利用芯片设计周期,减少测试图形数量,提出一种以确定性桥接故障测试为主体,有效结合内置多重固定测试的综合型测试方法.用90 nm的两个芯片进行自动测试图形生成和验证,从生成测试图形的时间长度、测试图形的数量、桥接故障测试覆盖率3个主要方面来对比,验证了该综合型测试方法的有效性.     

智能仪器课程教学改革的实践与探索

以培养学生创新意识及实际应用能力,提高学生就业竞争力和可持续发展能力为目标,对智能仪器课程教学内容、实验内容及教学方法等进行改革探索:引进案例教学方法,改革教学模式,激发学生的学习热情；不断调整教学内容,在保证系统基本架构完整的基础上,实时更新扩展教学内容；进行综合性实验,培养学生综合应用能力.     

杂质纵向高斯分布UTBB-SOI MOSFET的虚拟阴极阈值电压解析模型

采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器件建立二维阈值电压解析模型。通过与Sentaurus Device器件仿真结果对比分析,发现:阈值电压模型能准确预测器件在不同掺杂、器件厚度和偏置电压下的阈值电压,正确反映器件的背栅效应,其模拟结果与理论模型相符。