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采用在等离子体增强化学气相沉积(PFCVD)系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SO2多层膜.用快速热退火对a-Si:H/SiO2多层膜进行处理,制备nc—Si/SiO2多层膜,研究了这种方法对a-Si:H/SiO2多层膜发光特性的影响.研究发现对a-Si:H/SiO2多层膜作快速热退火处理,可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰.研究了不同退火条件下发光峰的变化.通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析,探讨了a-Si:H/SiO2多层膜在不同退火温度下的光致发光机理. 相似文献
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利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-SiH/SiO2多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-SiH/SiO2多层膜进行晶化.喇曼(Raman)散射谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅颗粒在原始的a-SiH子层形成,且尺寸可以精确控制. 相似文献
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