排序方式: 共有42条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用HFCVD生长法,以较低生长温度,在Si(111)衬底上淀积3C-SiC(111)薄层。用XRD、VASE、XPS等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。XRD显示薄层具有明显的择优取向特征。VASE测量出薄层的折射率为2.686,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。XPS深度剖面曲线表明薄层中Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比,其能谱证明C1s与Si2p成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC。 相似文献
2.
该文报道了一种具有结构复杂性和生物学特性的功能化螺旋吲哚酮的简便合成方法.以二苯乙烯基甲酮和氧化吲哚为原料,用结构上下对称的多氢键型催化剂轴手性胍-酰胺催化不对称串联[5+1]环加成反应,采用一锅法合成了15种螺[环己酮-氧化吲哚]衍生物,并对反应条件进行了优化.研究结果表明:在以物质的量分数20%的手性胍(1a)为催化剂、CH2Cl2为溶剂、在40 ℃下反应72 h的条件下,以91%的产率、93%的ee值获得螺环己酮吲哚啉酮. 相似文献
3.
4.
以4-二甲氨基吡啶为原料,经烷基化后得到2种吡啶盐中间体,通过阴离子交换法制备了6种吡啶类离子化合物,其中5种为离子液体,用1H NMR、IR、TG、DSC进行分析和表征,同时考察了6种物质的吸水性和溶解性.结果表明,离子液体的热分解温度均在300℃以上,置于空气中会微量吸水,极易溶于极性溶剂,不溶或微溶于极性小的溶剂. 相似文献
5.
3C—SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光 总被引:1,自引:1,他引:1
采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4+SiH4+H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光(PL)分析。结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域展宽光谱线,主峰位置在520nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给3C-SiC晶体薄膜造成应力损伤。 相似文献
6.
自从江崎和朱兆祥1970年发表了他们对晶态GaAs/GaAlAs周期性多层叠合结构的研究工作以来,半导体超晶格的研究已取得了长足的进步。但是,最初10余年间的工作仅限于结晶半导体。至于非晶(或称无定形),或许是由于这种材料本身的研究历史还不够长,人们在那期间的认识还欠充分。非晶半导体超晶格这个术语出现在科学文献上,还仅仅是最近 相似文献
7.
针对随机振动功率谱通常存突变或间断现象,在小波去噪处理中,软阈值法使得估计信号在间断处较模糊, 且整体误差大,而硬阈值法在信号的间断点附近会产生伪Gibbs现象。通过对随机振动谱的统计模型进行分析,建立了对数域振动谱噪声的统计模型,并理论推导出根据噪声小波变换系数而设置的滤波阈值与小波变换尺度之间的非线性关系,为小波变换自适应阈值去噪提供依据,在此基础上提出了基于小波变换的振动谱估计自适应去噪通用算法,通过仿真对比实验,结果表明理论分析的有效性。 相似文献
8.
一种低输出纹波的开关电容DC-DC变换器 总被引:1,自引:0,他引:1
论述一种新的开关电容DC-DC变换器的拓扑结构。在设计中采用两个附加的对称电容器以及相应的开关,以减少由于输出电容的等效串联阻抗造成的输出电压纹波电平。文中以一个12V/5V的变换器为例讨论了这种方法。PSPICE仿真和实验结果表明该方法是可行的。 相似文献
9.
探究一种微波辅助MMT/FeCl_3催化吲哚与芳香醛的反应,方便、快速地合成双吲哚甲烷衍生物.研究表明,在CH_2Cl_2中,微波辅助x=15%MMT/FeCl_3催化,产率最高可达94%.催化剂重复使用4次,产率仍可达60%.该方法具有操作简单、反应快、产率高、环境友好等优点,为合成双吲哚甲烷衍生物提供了一条有效途径. 相似文献
10.
探讨了环境友好和无毒性的轴手性多活性中心的BINOL酰胺催化的芳香醛、乙酰丙酮及碳酸氢铵的Hantzsch反应.研究表明,在回流条件下,CH_2Cl_2中,在0.075 mmol轴手性多活性中心BINOL酰胺存在下,芳香醛、乙酰丙酮及碳酸氢铵能有效进行Hantzsch反应,高产率生成Hantzsch酯.产物通过红外、核磁、熔点进行表征.该方法与现有合成方法相比,具有操作简便、收率高、用时短等优点,有潜在的应用前景. 相似文献