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在306-321 nm单光子波长范围内采用REMPI光谱方法研究S2分子3Δg里德堡态光谱,第一次报道了混合同位素分子32S34S的REMPI光谱,得到3Δg态精确的分子常数,对分子32S32S,ωe=800.1(25)cm-1,ωeχe=3.4(7)cm-1,Be=0.31564cm-1,αe=0.00165cm-1,对同位素分子32S34S,ωe=788.0(8)cm-1,ωeχe=3.3(2)cm-1,Be=0.30613cm-1,αe=0.00160cm-1.根据32S32S和32S34S的谱带基线确定同位素位移(Δν=0ν(32S32S)-ν0(32S34S)),0-0谱带同位素位移为0.2(5)cm-1,1-0谱带为11.8(3)cm-1,2-0谱带为23.3(5)cm-1,对于0-1谱带,为-10.2cm-1.讨论了3Δg态不对称自旋-轨道分裂,不对称分裂是源于1Δ2g态扰动. 相似文献
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