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InP是继Si和GaAs之后的新一代电子功能材料,利用多孔半导体制成微型化和集成度较高的气敏传感器也一直是研究的热点,但对多孔InP的气敏特性研究甚少.本文拟通过电化学刻蚀方法制备纳米多孔InP,并观察其对氨气的伏安特性响应,从而分析该材料的气敏特性. 相似文献
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陈春彩 《山西大同大学学报(自然科学版)》2021,(4):11-13
基于从头算的密度泛函理论及其微扰理论,利用广义梯度近似(GGA-PBE-1996)和赝势法,优化计算BCC-δ相铁的能量与晶格结构的关系,并得到了铁的熔化温度Tm与压强P的关系.研究结果表明:在0-6 Gpa下,计算BCC-δ相铁的熔化温度应考虑体积功的影响. 相似文献
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