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采用MOCVD技术制备了GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料,对其进行了光致发光特性的测量,结果观察到5个发光峰,其波数分别为υ=9600cm-1,12020cm-1,12240cm-1,12550cm-1和13070cm-1,并对发光峰的位置进行了理论的说明 相似文献
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