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分析了表面陷阱对4H—SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响。在直流特性上,由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移;在瞬态特性上,引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散。表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应。该文还对栅延迟现象进行了分析,并给出了电子浓度分布随时间的变化。 相似文献
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