确定小剂量离子注入均匀性的新方法

提出一种测量小剂量离子注入样品均匀性的新方法——多探针Ｃ－Ｖ法．研制了相关的硬件和软件．此方法基于以下２个新颖的思想：１）采用多根探针测量，由微机通过开关矩阵进行控制，自动轮流切换，大大提高了速度、效率和可靠性．２）采用深浅不同的彩色地图（ＭＡＰ）来表示大硅片上各测量点的注入剂量，从而形象直观地显示出离子注入的均匀性，既容易理解，又容易记忆．通过对双注入ＭＯＳ样品上的８×８测试点阵列进行的测量分析证明：此系统及此新方法可用于离子注入工艺的在线监测     

肖特基结C~(-2)-V法测定n~ 埋层扩散后的n/p硅外延片表面杂质浓度

本文分析了样品中串、并联电阻及串联电容对测量结果的影响,导出了各种情况下肖特基结电容测量附加误差的表达式,进一步讨论了C~(-2)-V曲线的斜率(即表面杂质浓度)测量的附加误差。在Q表上用四种小讯号频率测量了TTL电路和某些线性电路外延片的C~(-2)-V曲线。对于外延层厚度约10μm、电阻率约0.5Ω·cm的样品,把频率降低到0.1MHz左右,表面杂质浓度测量的附加误差接近于零。     

CSM系列半导体测试系统的研究

CSM系列自动化半导体测试系统是由微型计算机、接口电路单元以及各种模拟测量仪器组合构成的专用测试系统.测量仪器是1MHz电容仪、微电流仪、线性斜坡电压发生器等等.本文重点介绍CSMⅢ型系统.该系统已配备七套应用软件,既可用于集成电路芯片生产过程中关键工序的在线工艺检测,也可用于半导体器件的研究工作.本系统可以替代进口的类似检测设备.