三态叠加多模Schrdinger-cat态纠缠光场的不等幂次高次差压缩

引入了由多模复共轭相干态、多模复共轭虚相干态和多模真空态的线性叠加所组成的三态叠加多模Schr dinger-cat态纠缠光场,利用多模压缩态理论研究了这种光场的广义非线性不等幂次高次差压缩特性。结果发现:①真空场对此猫态光场的不等幂次高次差压缩效应没有影响;②在一定条件下,此猫态光场的两个正交相位分量可分别呈现出不等幂次高次差压缩效应;而在另外的条件下,此猫态光场的两个正交相位分量则可同时出现上述的不等幂次高次差压缩效应。     

三态叠加多模Schroedinger-cat态纠光场的不等幂次高次差压缩缠

引入了由多模复共轭相干态、多模复共轭虚相干态和多模真空态的线性叠加所组成的三态叠加多模Schroedinger-cat态纠缠光场，利用多模压缩态理论研究了这种光场的广义非线性不等幂次高次差压缩特性。结果发现：①真空场对此猫态光场的不等幂次高次差压缩效应没有影响；②在一定条件下，此猫态光场的两个正交相位分量可分别呈现出不等幂次高次差压缩效应；而在另外的条件下，此猫态光场的两个正交相位分量则可同时出现上述的不等幂次高次差压缩效应。     

GaN受激喇曼散射谱研究

对ＧａＮ样品薄膜进行了喇曼背散射几何配置下的喇曼散射测试与分析,其样品分别是在不同衬底上以金属有机物气相沉积（ＭＯＣＶＤ）法和分子束外延（ＭＢＥ）法生长的,观测到了纤锌矿结构ＧａＮ的允许模式Ａ１（ＬＯ）模和Ｅ２（高）模,同时也观测到了一些禁戒模式,结果表明：受激喇曼散射是研究ＧａＮ结构的一种有效手段。     

多模薛定谔猫态光场的高次差压缩效应

构造了由多模复共轭相干态、多模复共轭虚相干态、多模真空态线性叠加组成的多模叠加薛定谔猫态光场．利用多模压缩态理论，研究了该猫态光场的任意次广义非线性等幂次高次差压缩特性．结果表明，多模叠加薛定谔猫态光场中的真空场对其差压缩特性无直接影响；在一定条件下，该猫态光场的两个正交相位分量可分别呈现出等幂次高次差压缩效应；而在另外的条件下，该猫态光场的两个正交相位分量可同时呈现出等幂次高次差压缩效应，这是一种相悖于海森堡测不准关系的新物理现象．     

晶体硅太阳电池的氮化硅表面钝化研究

为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率，研究了用等离子增强化学气相沉积（PECVD）的SiNx：H作为晶体硅太阳电池的表面钝化及减反射膜对电池性能的影响，并采用不同的工艺路线制备了不同类型的电池。实验发现：同SiNx：H比较，SiNx:H/SiO2双层光学减反射结构对晶体硅太阳电池能起到更加有效的表面钝化作用，提高了太阳电池的光电转换效率。基于界面物理，提出了一种新的能带模型，解释了用不同实验方法制作的晶体硅太阳池性能的差异。     

二维正方格子晶体中位错的晶格理论

自从Orowan，Polanyi和Taylor等提出晶体中位错的概念并用弹性力学进行分析后，位错问题已经得到深入广泛的研究，并提出了一些著名的模型．但是，这些模型往往是连续的或半离散的，虽然能解决位错的许多问题，但是不能给出位错芯的精确描述．对此，建立在完全离散模型的基础上，作者只考虑最近郊原子间相互作用，运用格林函数方法对二维正方格子晶体中位错的Peierls模型进行计算，发现晶体没有切应力，二维问题变为一维，得出一维F—K模型方程．至此得出一个定量给出F—K模型方程的方法．     

三态叠加多模纠缠态光场退相干下的混态差压缩

利用多模压缩态理论,对由多模真空态、多模复共轭相干态及多模复共轭虚相干态三态线性叠加构成的多模纠缠态光场在退相干下的均匀混态时其等幂次差压缩特性进行了研究。结果表明,当满足不同的条件时,混态光场中不仅呈现该纠缠态的某一正交相位分量存在着广义非线性等幂次高次差压缩特性的普通差压缩现象,而且还呈现其两个正交相位分量同时存在广义非线性高次差压缩特性的“双边差压缩”现象。后者是一种与测不准关系相悖的全新的物理效应。     

纳米磷化铟的制备及其表征

报道了以Na、P和InCl3.4H2O为原料,以二甲苯为溶剂,用改进的常压有机溶剂回流退火法合成纳米磷化铟晶粒的方法,并与已有的其他方法进行了比较.在二甲苯溶液中合成了纳米InP,并用X射线衍射、透射电子显微镜、激光拉曼光谱和吸收光谱对合成产物的结构和性能进行了表征和分析.研究结果表明,合成的晶粒具有立方闪锌矿结构,平均粒径为55 nm,最小粒径为3 nm,晶格常数为5.869×10-10m,具有明显的量子尺寸效应,而且晶粒的完整性好,产率高.     

纤锌矿结构ZnO、AlN、GaN自发极化及压电系数的第一性原理计算

以现代极化理论为基础,通过构建一种结构简单、直观的计算模型,分别采用Berry phase和最大局域化Wannier函数方法并结合第一性原理,计算了纤锌矿结构的ZnO、AlN及GaN半导体的自发极化及压电系数,研究了自发极化与晶体结构之间的关系.计算结果与已有报道结果吻合较好.结果表明:AlN的自发极化及压电系数在三种半导体中最大,其自发极化超过另外两种半导体的两倍.发现最大局域化Wannier函数方法与Berry phase方法相比,由于产生了Wannier中心,因此在分析自发极化、电子结构及原子成键上具有独特的优势,能给出更清晰的物理图像.