聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰亚胺薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功，这是一个ｎ沟道增强型器件，具有曲折栅结构；沟道长约１０μｍ，宽〉８００μｍ，栅区绝缘层厚约３００ｎｍ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个Ａｕ－ＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文报道该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计；工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论。     

聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰胺（ＰＩ）薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功。这是一个ｎ沟道壁强型器件，具有曲折栅结构，沟道长约１０μｍ，宽〉８０００μｍ；栅区绝缘层厚约３３０００Ａ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个ＡｕＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文叙述了该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计，工作原理和主要性能，对某些有关问题进行了初步讨论。     

干燥HCl对热氧化生长SiO2的影响

采用干燥的HCl气体,作为HCl热氧化的气体源,制成铝膜MOS结构,其固定氧化物电荷几乎为零,界面陷阱密度低于1×10¹⁰陷阱/厘米²-电子伏特,对于人为的异常高的(大约3×10¹³离子/厘米²)可动钠离子沾污,仍具有99.5%以上的钝化效率.讨论了达到这些性能的原因.     

变面积结构微机机械电容式加速度传感器

文章首次报道了一种基于面积可变电容结构的微机械加速度传感器。质量块呈栅状结构,由悬臂梁支撑。两组交叉放置的定电极位于质量块的正下方。在惯性力的作用下,质量块呈平行于衬底水平移动,引起由质量块的栅与定电极的叉指构成的差分电容变化。通过测量差分电容的变化,可以得到加速信号的大小。理论分析表明加速度响应信号随面积呈线性变化,而与质量块及定电极的间距无关。加速度传感器的制作采用了基于金属电镀的准LIGA技术,设计量程为20m/s2。测量结果表明,加速度传感器量程为20m/s2,灵敏度为58.1mV/(m·s-2),非线性为4%FS。讨论了器件线性度不够理想的原因。