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在nW-μW光功率下测试高增益穿通型AlGaAs/GaAs光电晶体管的直流参数,光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为830nm的AlGaAs/GaAs体激光器作光源,经光纤耦合与衰减,得到可变的光功率。测试结果表明,在3-14V工作电压下,1μW入射光功率时光增益7113,40-50nW光功率时光电增为3693,高于国内外报道的光电探测器的同类指标。 相似文献
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在超高真空条件下(10-7Pa)蒸发沉积Fe-Y和Fe-Dy成分调制多层膜。短周期(3~7nm)膜用于结构与热稳定性研究;长周期(20~50nm)膜用于离子束混合非晶化研究。Fe单层厚≥2.4nm时为体心立方(bcc)结构,无明显择优取向。Dy单层厚>2.4nm时为六角密集(hcp)结构,非晶沉积态经300℃加热开始晶化,600℃退火完全转变为bcc结构Fe和hcp结构Dy(hcp结构Y).200℃等温退火,磁化强度随时间而增加,温度越高增加速率越大。用90~120keV的Ar+在室温下进行长周期多层膜的离子束混合。在1×1017cm-2注量达到均匀混合,且导致非晶化,平均成分为Fe60Dy40的膜无残余晶态。离子束混合还导致磁性变化,饱和磁化强度随注量增加而下降。 相似文献
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用180~380keV质子注入LiNbO3造成折射率减小的埋层,以形成近表面处的平面波导;用350keV高注量Ti离子注入增加折射率,在注入区形成平面波导;用不同能量质子叠加注入,退掉由Ti内扩散制成的波导层。离子注入能在纵向与横向上改变LiNbO3的折射率剖面分布,可用于制作集成光学器件。 相似文献
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用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nmGe,Ge薄膜在500度以上退火有再结晶过程,退火后由非晶变成多晶,在Ge和GaAs界面处有互扩散,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致。 相似文献
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利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1~0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场. 相似文献
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