SnO2:(Sb,In)透明导电薄膜的制备及其性能研究

采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2∶(Sb,In)薄膜,优化了制备工艺参数,应用差示扫描量热仪-热重分析仪(DSC-TGA)、X射线衍射仪(XRD)等手段对薄膜进行了表征.结果表明,氯化亚锡、乙醇和水摩尔比为1∶20∶4时成胶状态最佳,当锑和铟的掺杂量分别为7 %和4 %时,在500 ℃氮、氢混合气氛下煅烧2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为40.5 Ω,紫外-可见光透射率达88 %.     

添加剂对低压ZnO压敏陶瓷特性的影响

按照国外低压ＺｎＯ压敏陶瓷中所含添加剂的种类，利用制备ＺｎＯ压敏陶瓷的常规工艺，对基本添加剂进行单因子实验；研究每种添加剂对ＺｎＯ压敏陶瓷性能和微观结构的影响规律；从理论上分析各类添加剂的作用机理；优选出低压ＺｎＯ压敏陶瓷的最佳配方。     

CMOS集成电路中MOS管匹配特性分析

目的研究CMOS集成电路中MOS管匹配特性。方法通过分析MOS管在饱和区和线性区的工作方程,分别推导了引起MOS管电压、电流失配的因素,并分析对MOS管匹配特性的影响。结果系统地提出一些进行MOS管匹配设计的方法及应该采取的版图设计规则。结论可作为CMOS集成电路设计提供必要的理论依据。     

MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜

以ＳｎＣｌ４液体为锡源用ＭＯＰＥＣＶＤＥ方法制备出了ＳｎＯ２薄膜,用Ｘ射线衍射仪和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的晶体结构和ＳｎＯ２晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒ＳｎＯ２薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成ＳｎＯ２气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小ＳｎＯ２晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。     

氮化镓粉末的溶胶-凝胶法制备及其结构分析

目的 采用一种低成本、易操作的溶胶一凝胶法制备高质量的氮化镓粉末.方法 以氧化镓为镓源、柠檬酸为络合荆制备出前驱物溶胶,再将其在氨气气氛中氮化得到氮化镓粉末.结果 X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)对其进行分析,结果 表明该粉末是六角纤锌矿结构的纳米GaN粉末;且由傅立叶红外光谱(FTIR)测出产物的吸收峰与氮化镓的横向光学晶格声子模式一致,由光致发光(PL)谱得到两条光致发光峰表明了所制备的GaN具有很好的光学性能.结论 多种测试结果 表明,用溶胶.凝胶法制备的氮化镓纳米粉体具有良好的性能.     

一维声子晶体的振动特性研究

利用平面波展开法计算了6种不同材料组分的一维杆状结构声子晶体振动带隙,分别讨论了晶格的尺寸大小、两种复合材料的组分比以及材料的密度等对声子晶体振动带隙频宽的影响.结果表明:在晶体的晶格尺寸大小、两种复合材料(金属和非金属)的组分比不变的情况下,振动的第一带隙的初始频率随着金属密度的增大而减小,截止频率基本不变;当所选材料的组分比不变时,随着晶格尺寸的增大,一维二组元复合声子晶体的振动带隙的初始频率及截止频率减小,同时带隙的频宽也随之减小;而当材料组分比小于1时即所选金属材料的份数小于非金属时,随着金属材料量的增大,振动带隙的初始频率及截止频率减小,从而带隙的频宽也减小;而当材料组分比大于1时即金属材料的份数大于非金属时,振动带隙的初始频率增大,截止频率减小,以及带隙的频宽也随之减小.     

SiC-MESFET器件的夹断电压

考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响，给出了较为精确的计算SiC—MESFET器件夹断电压的方法，计算的结果和实验值符合较好。     

基于NT7532驱动的点阵式LCD的逐行显示设计

目的为设计一种任意画面可逐行切换的LCD显示驱动硬件接口电路。方法采用单片机80C51控制基于NT7532芯片的点阵式液晶显示器M0089,用汇编语言实现了逐行切换。结果实现了两个任意画面的逐行切换显示,对应用到FED显示驱动的可行性进行了讨论。结论用单片机控制可实现画面的逐行切换。     

NetWare到Windows NT的系统集成

对于NetWare和NT双服务器环境下的局域网,通过系统集成,实现了在NT网络中访问NetWare资源,并且可以在NT服务器上管理NetWare网络。初步达到了NetWare网络与NT网络的相互通信和资源共享的效果。