首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4篇
  免费   0篇
综合类   4篇
  2014年   1篇
  2004年   1篇
  2000年   2篇
排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1
1.
基于广义惠更斯-菲涅耳原理和任意粗糙目标模型,考虑大气湍流对激光从发射机到目标和从目标到接收机的影响,研究部分相干高斯-谢尔光束经任意粗糙目标散射后的统计特性.我们假设相位结构函数占优,推导了接收场处互相关函数的表达式,平均强度以及波前相干长度大小,并对此进行数值模拟.结果表明,接收面的平均强度与粗糙面的横向相关长度与表面高度均方根有关;接收场的波前相干长度与湍流强度、表面粗糙度、传播距离和光源相干度有关.  相似文献   
2.
细分技术作为一种提高步进电机步距分辨率的手段已被大量采用,步进电机采用细分驱动能提高分辨率,减少力矩波动,解决步进电机的低频共振问题,如何使步进电机的微步距角更均匀,一直是细分技术所研究的主要问题.该方法对由DSP实现反应式步进电机细分驱动的电流波形作了分析,实现了对步进电机的步距角细分控制.  相似文献   
3.
采用射频共溅射复合靶(Si+Ge+石墨C)技术制备Si1-x-yGexCy三元合金薄膜,Si,Ge和C的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在N2气保护下恒温30min后自然降温到室温。通过IR,Raman的XPS的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Si,Ge,C3种元素,有较明显的Si-C,Si-Ge,Ge-C键合。通过电阻率-温度谱ρ-T的测量研究薄膜的电学性能,测量了不同C含量和不  相似文献   
4.
采用射频共溅射复合靶(Si Ge 石墨C)技术制备Si1-x-yGexCy三元合金薄膜.Si,Ge和C的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在N2气保护下恒温30min后自然降温到室温.通过IR,Raman和XPS的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Si,Ge,C3种元素,有较明显的Si-C,Si-Ge,Ge-C键合.通过电阻率—温度谱ρ-T的测量研究薄膜的电学性能,测量了不同C含量和不同温度退火后薄膜ρ-T关系的变化,发现随C含量的增加电阻率增大,激活能也增大;450℃退火后电阻率普遍变小,激活能也变小,对这一规律性的结果作了解释  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号