Be等电子序列高激发态结构(J=0,1,2,偶宇称)

本文应用本征通道量子亏损理论(EQDT)系统地研究了J=0,1,2,偶宇称Be等电子序列(BeI—SiⅪ)的高激发态结构.得到了描述高激发态结构的EQDT基本参量(μ,U_(i))以及它们随有效核电荷数增大的变化规律.以这些参量作为输入,获得了类Be体系2sns,2snd和2pnp(双激发态)组态的全部Rydberg能级及混合系数.计算结果表明,在高激发态,我们的理论结果与实验值相对误差在10~(-5)左右.     

类氖原子体系的高激发态（偶宇称）

在计及自旋－轨道相互作用和组态相互作用条件下，用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ）方法系统地计算了氖等电子序列（从ＮｅＩ到ＣａＸＩ）偶宇称的高激发态结构，所得结果与已有的实验数据符合得很好。     

Be等电子序列高激发态结构（J=0,1,2,偶宇称）

本文应用本征通道量子亏损理论系统地研究了Ｊ＝０，１，２偶宇称Ｂｅ等电子序列的高激发态结构，得到了描述高激发态结构的ＥＱＤＴ基本参量以及它们随有效核电荷数增大的变化规律，以这些参量作为输入，获得了类Ｂｅ体系２ｓｎｓ，２ｓｎｄ和２ｐｎｐ组态的全部Ｒｙｄｂｅｒｇ能级及混合系数，计算结果表明，在高激发态，我们的理论结果与实验值相对误差在１０＾－５左右。     

类氖原子体系的高激发态（偶宇称）

在计及自旋－轨道相互作用和组态相互作用条件下，用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ）方法系统地计算了氖等电子序列（从ＮｅＩ到ＣａＸＩ）偶字称的高激发态结构。所得结果与已有的实验数据符合得很好。