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对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景. 相似文献
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本文以漳龙高速公路芗城路段改性沥青砼路面抗滑表层的设计与施工为例,介绍改性沥青砼抗滑表层的设计与施工方法。 相似文献
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微软公司股票面值仅0．1美分，市价却高达100美元，人数众多的高技术人才是其巨大财富；美国电话电报公司100多年来能始终立于不败之地，依靠的是贝尔实验室5万多名的科学家…… 相似文献
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