基于电子自旋弛豫的全光开关的理论计算

国外已有实验测量发现，InGaAsP多量子阱材料的电子自旋弛豫时间是与材料的阱宽大小直接联系的，而且比之前研究的GaAs多量子阱材料的自旋弛豫时间更短。文中对激子的特性进行了介绍，对影响电子自旋弛豫时间的三个机制经行了分析和计算，并且采用有限深势阱摸型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算，最后根据要制作的全光功能开关的性能指标对计算结果进行了选择，得到最适合于制作光开关的材料为：势阱In0．53Ga0．47As（阱宽6nm）；势垒InP。     

在微腔中利用超导量子干涉仪实现GHZ纠缠态

在这里,我们提出一种实现多粒子的Greenberg-Horne-Zeilinger(GHZ)纠缠态方案.是将超导量子干涉仪植入单模微腔中,在大失谐的情况下完成纠缠态的制备.在这种方法中,GHZ能被制备而不需要任何测量.在整个制备过程中微腔和超导量子干涉仪是没有信息交换的,因为腔一直处于真空态,没有任何光子,这样对腔的品质因数要求就比较低.     

在微腔中利用超导量子干涉仪实现GHZ纠缠态

在这里，我们提出一种实现多粒子的Greenberg Horne-Zeilinger（GHZ）纠缠态方案。是将超导量子干涉仪植入单模微腔中，在大失谐的情况下完成纠缠态的制备。在这种方法中，GHZ能被制备而不需要任何测量。在整个制备过程中微腔和超导量子干涉仪是没有信息交换的，因为腔一直处于真空态，没有任何光予，这样对腔的品质因数要求就比较低。