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2020年
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1.
非易失闪存中堆叠电容的精度控制研究与改善
下载免费PDF全文
郎玉红
陆振杰
祁鹏
《上海师范大学学报(自然科学版)》
2020,49(4):478-482
讨论了非易失闪存(NOR Flash)器件中ONO介质层厚度的精度控制.通过归一化不同密度器件分组,优化多层复杂薄膜的光学量测精度,优化氮化硅层的均匀性,实现了对ONO介质层厚度更精确的控制.结合光学厚度与电性厚度的相关性,可以及时得到ONO工艺的安全窗口.
相似文献
2.
国产硅片锥形缺陷的改善方法
下载免费PDF全文
陆振杰
李杰
郎玉红
《上海师范大学学报(自然科学版)》
2020,49(4):483-486
针对某国产硅片在验证过程中的锥形缺陷,通过优化拉晶和制作工艺中的等待时间管控,减少硅片的缺陷,提升硅片的质量.
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