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磁控溅射制备AlN过渡层ZnO薄膜及其性能研究 总被引：1，自引：0，他引：1
大量研究表明ZnO薄膜已在气敏器件、表面声波器件和压敏器件等方面得到较为广泛的应用。由于Si与ZnO的晶格常数及热膨胀系数的失配度均很大,难以实现高质量ZnO薄膜的外延生长,采用中间缓冲层是一种值得研究的工艺。由于AIN的晶格结构与ZnO相同,所以可作为生长高质量ZnO薄膜的缓冲层,并改善ZnO/AlN界面结构。实验采用射频磁控溅射制备了ZnO/AlN双层膜,研究了薄膜的结构和形貌。结果表明,相比于相同工艺下制备的ZnO/Si薄膜,双层膜的生长取向依然是(002),应力减小,结晶质量更好。 相似文献
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C语言的一个显著特点是它的运算符丰富、操作灵活，利用这一点可以巧妙地解决许多在其他语言中难以解决的问题，本文主要分析C语言中自增自减两个运算苻使用时应注意的问题． 相似文献
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C语言的一个显著特点是它的运算符丰富、操作灵活,利用这一点可以巧妙地解决许多在其他语言中难以解决的问题,本文主要分析C语言中自增自减两个运算符使用时应注意的问题. 相似文献
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