FTO薄膜电子结构和光学性质的PBE0方法研究

本文基于密度泛函理论(DFT)PBE0方法对本征SnO_2及SnO_2∶F电子结构及光学性质进行了理论计算,从理论上描述了光学性质与电子结构关系。计算结果表明,PBE0方法计算光学带隙最接近实验数值。在PBE0赝势下,计算了本征SnO_2及SnO_2∶F能带结构、电子态密度。掺杂后,体系局域态密度增加,费米能级穿越导带底部,F掺杂增强SnO_2的导电性。增加F掺杂浓度,体系等离子体频率降低,有利于降低FTO薄膜红外辐射率。F掺杂SnO_2后,介电函数谱发生红移。     

钢化过程中低辐射玻璃SnO_x:F薄膜氧含量的变化及其影响

采用有机金属化合物化学气相沉积法(MOCVD)在浮法玻璃上沉积了F掺杂的氧化锡薄膜,制备低辐射镀膜玻璃,并在高温电阻炉和钢化炉内分别进行热处理和钢化实验,对不同条件下的电学性能进行了研究。采用XPS和AES对薄膜中[O]/[Sn]平均含量的变化进行了分析。结果表明,在650℃之内,表面电阻没有发生明显改变,但此后快速上升至86.68Ω/□;薄膜O和Sn的含量不符合化学计量比,[O]/[Sn]比均小于1.20;随着热处理温度的提高和时间的延长,薄膜中O含量有所提高,与表面电阻的变化趋势接近。