低维材料中的缺陷效应与电子态调控

低维材料具有大的比表面积、独特的电子结构和优异性能,在新能源、信息等领域具有重要的应用前景.低维材料所具有的特殊电子态可以突破传统半导体材料的尺寸极限,是后摩尔时代重要的候选材料.如何有效地调控低维材料电子结构以满足特定功能的需要是实现这一应用的关键.本文从一维纳米管和二维层状材料中的"缺陷效应"出发,对我们课题组在低...     

氧化物辅助合成纳米硅线的研究

2002年8月15日～2003年8月15日，我被山东大学派往香港城市大学物理与材料科学系金刚石与超级薄膜中心(COSDAF)进行了为期1年的合作研究。主要从事氧化物辅助合成纳米硅线的生长机理的理论研究工作。     

电子——电子相互作用和Hubbard模型

采用屏蔽库仑势形式,通过计算—维体系中电子——电子相互作用的U,V,W,X 各项值,分析了Hubbard 模型、KSSH 模型等的不足,并给出它们适用范围的参考标准。