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1.
ZnO非线性电阻冲击蜕变机理分析
许毓春
曹书云
王士良
赵时坚
《华中科技大学学报(自然科学版)》
1992,(Z1)
使用透射电镜、能谱、电子衍射等微观分析手段,对脉冲大电流冲击后的ZnO非线性电阻I-V特性蜕变现象进行了研究.实验结果表明,ZnO非线性电阻的冲击蜕变主要是由于离子迁移致使正、负离子在晶界层与晶粒界面两侧的积累和离散所造成的,同时也与富铋界面层的相结构改变有密切的关系.
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