硅镓锗砷的反常散射因子

本文在略述反常散射后,给出几种最常见半导体元素硅,镓、锗、砷在 K 吸收限附近的反常散射因子的模拟表达式,并作了简单讨论。     

FDTD结合近远场变换法计算复杂目标的RCS

采用近远场变换技术 ,与相位滞后法相结合 ,用FDTD法计算了一类复杂目标的RCS,计算结果与实验测量值比较吻合。     

测定f″_(Ga)的有效反常散射因数法

本文讨论用GaAs的有效反常散射因数来测定Ga在其K吸收限附近的f的方法,并用两组Bijvoet对的积分反射强度较好地求得了f。