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铝电解槽碳化硅绝缘侧壁材料的耐蚀性 总被引：3，自引：1，他引：3
研究了在有氧气存在的条件下碳化硅砖的抗腐蚀情况,测定了在不同温度下碳化硅砖在氧气流中的抗氧化情况,发现在850℃和750℃时的氧化情况差别不大,但明显好于950℃时的氧化情况·观察了试样在950℃时的动态腐蚀情况,发现在有氧气存在的条件下,碳化硅砖在电解质中的腐蚀速度明显加快·因此认为在750～850℃的低温电解是新型惰性电极电解槽的首选工艺· 相似文献
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